[发明专利]一种低干扰电感结构的制造方法

权利要求书

1.一种低干扰电感结构的制造方法，包括：

提供一衬底，并在所述衬底的上表面形成一沟槽；

在所述沟槽底部形成第一电感结构，所述第一电感结构包括第一中间电极、第一边缘电极、第一电感图案、连接所述第一中间电极与所述第一电感图案的第一导电通孔以及连接所述第一边缘电极与所述第一电感图案的第一斜面连接层；

其中，所述第一边缘电极位于所述衬底的上表面，所述第一中间电极位于所述衬底的下表面，所述第一导电通孔贯穿所述沟槽的底部与所述衬底的下表面；

还包括用隔离材料填充所述沟槽，以形成沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构的上表面高于所述衬底的上表面；

还包括在所述沟槽隔离结构中形成一个凹槽，并在所述凹槽中形成第二电感图案和第二斜面连接层，以及在所述沟槽隔离结构的上表面形成第二边缘电极，所述第二电感图案、第二斜面连接层与所述第二边缘电极一体成型并互相电连接；

还包括在所述凹槽中填充隔离材料直至形成与所述沟槽隔离结构的上表面齐平的顶面；还包括在所述凹槽中的隔离材料中形成第二导电通孔以及在所述顶面上形成第二中间电极。

2.根据权利要求1所述的低干扰电感结构的制造方法，其特征在于，还包括在所述沟槽底部与侧面沉积一层绝缘层。

3.根据权利要求2所述的低干扰电感结构的制造方法，其特征在于，所述第一斜面连接层和第一电感图案均位于所述绝缘层上。

4.根据权利要求1所述的低干扰电感结构的制造方法，其特征在于，所述第一导电通孔形成方法具体包括：通过激光钻孔的方式形成贯通所述沟槽的底部与所述衬底的下表面的通孔，并用导电物质填充所述通孔。