[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基板；

多条第一金属线和多条第二金属线，交替地设置在水平地位于所述基板上的一平面中；

多个电阻式随机存取存储器元件构成的一阵列，设置在所述平面中，其中各个所述电阻式随机存取存储器元件分别位于其中一所述第一金属线和与该其中一所述第一金属线相邻的其中一所述第二金属线间，其中该各个所述电阻式随机存取存储器元件包括：

两个障壁层，分别设置在该其中一所述第一金属线的侧壁和该其中一所述第二金属线的侧壁上；以及

可变电阻层，设置在两个所述障壁层之间，其中所述障壁层比起所述可变电阻层更富含金属；

多个晶体管，其中所述晶体管的源极区分别耦接至所述第一金属线；以及

多条位线，分别耦接至所述第二金属线。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一金属线和所述第二金属线是平行设置。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该各个所述电阻式随机存取存储器元件的所述障壁层包括至少一种选自下列选项的材料：铝(Al)、钛(Ti)、钽(Ta)、金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、钨(W)、镍(Ni)、铱(Ir)、铜(Cu)、镍氧化物(NiO_x)、钽氧化物(TayO_x)、钛氧化物(TiO_x)、铪氧化物(HfO_x)、钨氧化物(WO_x)、锆氧化物(ZrO_x)、铝氧化物(Al_yO_x)、锶钛氧化物(SrTiO_x)、铌氧化物(Nb_yO_x)、和钇氧化物(Y_yO_x)。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该各个所述电阻式随机存取存储器元件的所述可变电阻层包括至少一种选自下列选项的材料：镍氧化物(NiO_x)、钽氧化物(TayO_x)、钛氧化物(TiO_x)、铪氧化物(HfO_x)、钨氧化物(WO_x)、锆氧化物(ZrO_x)、铝氧化物(Al_yO_x)、锶钛氧化物(SrTiO_x)、铌氧化物(Nb_yO_x)、和钇氧化物(Y_yO_x)。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述晶体管是设置在所述基板上且水平高度低于所述平面的水平高度，所述位线的水平高度高于所述平面的水平高度。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述晶体管分别耦接至多条字线。