[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为LDMOS器件，所述半导体器件包括：

第一导电类型的半导体衬底；

栅极结构，形成在所述半导体衬底上；

源极和漏极，形成在所述栅极结构两侧的半导体衬底中，所述漏极和所述栅极结构之间存在间隔，定义所述源极和漏极之间的连线的延伸方向为第一方向；

沟槽接触，所述沟槽接触形成在所述栅极结构和所述漏极之间的半导体衬底上，其中，所述沟槽接触包括主体部分以及与所述主体部分相连接的若干个梳齿，所述主体部分沿第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述主体部分沿所述第一方向上的至少一侧设置有所述梳齿。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述若干个梳齿沿所述第二方向彼此间间隔设置，其中，所述主体部分沿所述第一方向的一侧设置有所述梳齿，或者所述主体部分沿所述第一方向的两侧均设置有所述梳齿。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述梳齿与所述主体部分垂直。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

漂移区，形成在所述半导体衬底中，具有第二导电类型，其中，部分所述栅极结构位于所述漂移区上方，所述漏极位于所述漂移区内。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

埋层，形成在所述半导体衬底中，具有第二导电类型；

深阱区，形成在所述半导体衬底中所述埋层之上，具有第一导电类型；

体区，形成在所述半导体衬底中所述漂移区的一侧，具有第一导电类型，其中，部分所述栅极结构位于所述体区之上，所述体区和所述漂移区位于所述深阱区之上，所述漏极形成在所述体区中；

体区引出区，形成在所述体区中，具有第一导电类型。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述栅极结构两侧壁上形成有间隙壁，部分所述沟槽接触位于所述间隙壁之上。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

接触孔蚀刻停止层，覆盖所述半导体衬底及栅极结构；

层间介电层，位于所述接触孔蚀刻停止层之上，其中所述沟槽接触贯穿所述层间介电层以及所述接触孔蚀刻停止层。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

硅化物阻挡层，形成在所述接触孔蚀刻停止层下方的所述半导体衬底上，并具有露出所述源极、所述漏极和所述栅极结构的开口。

9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件为LDMOS器件，所述方法包括：

提供第一导电类型的半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成栅极结构；

在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成源极和漏极，其中，所述漏极和所述栅极结构之间存在间隔，定义所述源极和漏极之间的连线的延伸方向为第一方向；

在所述栅极结构和所述漏极之间的半导体衬底上形成沟槽接触，其中，所述沟槽接触包括主体部分以及与所述主体部分相连接的若干个梳齿，所述主体部分沿第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述主体部分沿所述第一方向上的至少一侧设置有所述梳齿，形成所述沟槽接触的方法包括以下步骤：

形成覆盖所述半导体衬底及所述栅极结构的层间介电层；

蚀刻部分所述层间介电层，以形成贯穿所述层间介电层的沟槽，所述沟槽位于所述栅极结构和所述漏极之间的半导体衬底上；

在所述沟槽中填充导电材料，以形成所述沟槽接触。

10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在形成所述栅极结构之前，还包括以下步骤：

在所述半导体衬底中形成漂移区，所述漂移区具有第二导电类型，其中，部分所述栅极结构位于所述漂移区上方，所述漏极位于所述漂移区内。