[发明专利]一种非接触卡场强检测电路在审
| 申请号： | 201611101646.4 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108152604A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 朱永成;王强;霍俊杰 | 申请（专利权）人： | 北京同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区五*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场强检测电路 电压转换电路 场强指示 非接触卡 数字电路 场强 电流镜像电路 电流信号转换 电压信号转化 电流镜电路 保证系统 电流镜像 电流信号 电压信号 读卡距离 实时调整 限幅电路 运行频率 电容 掉电 电路 卡片 数字化 芯片 输出 外部 | ||
【权利要求书】：
1.一种非接触卡场强检测电路，其特征在于，所述场强检测电路包括电流镜电路、电流-电压转换电路和ADC电路，其中，电流镜像电路将限幅电路中表征场强大小的电流镜像为20uA~360uA的电流信号，并输出给电流-电压转换电路，电流-电压转换电路将电流信号转换为电压信号，ADC电路再将电压信号转化为数字化的场强指示信号，使得外部数字电路根据场强指示信号对运行频率做出实时调整。
2.如权利要求1所述的电流镜电路，其特征在于，所述电流镜电路由尺寸比为500:1的NMOS管和放大器组成，放大器将NMOS管的漏端电压强制为同一电压值。
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