[发明专利]芯片散热用镓液态金属合金及其制造方法

权利要求书

1.芯片散热用镓液态金属合金，其特征在于，是采用下述工艺制成的金属合金，

步骤一，对原料进行配比称重，原料按以下质量比称重：镓25％～60％、铟10％～30％、铋10％～30％、硼15％～35％、铯5％～40％、钼5％～25％；

步骤二，合金熔炼：将锅炉升温至300°，在坩埚中依次放入铟、铋、硼和铯，将坩埚放入锅炉中加热，熔化后将表层氧化物除去并搅拌；

步骤三，将锅炉的温度调整为250°，然后在坩埚中加入钼，静置10min-30min，熔化后将表层氧化物除去并搅拌；

步骤四，将锅炉的温度调整为150°，然后在坩埚中加入镓，熔化后将表层氧化物除去并搅拌；

步骤五，取出坩埚，将坩埚内的物质浇铸到烘干过的模具内，自然冷却至室温，得到合金成品。

2.根据权利要求1所述的芯片散热用镓液态金属合金，其特征在于：原料按以下质量比称重：镓35％、铟20％、铋20％、硼15％、铯5％、钼5％。

3.根据权利要求1所述的芯片散热用镓液态金属合金，其特征在于：所述镓、铟、铋的比值为45-50:26-27:26-27。

4.根据权利要求1所述的芯片散热用镓液态金属合金，其特征在于：所述芯片散热用镓液态金属合金的熔点在30°-50°。

5.芯片散热用镓液态金属合金的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，对原料进行配比称重；

步骤二，合金熔炼：将锅炉升温至300°，在坩埚中依次放入铟、铋、硼和铯，将坩埚放入锅炉中加热，熔化后将表层氧化物除去并搅拌；

步骤三，将锅炉的温度调整为250°，然后在坩埚中加入钼，静置10min-30min，熔化后将表层氧化物除去并搅拌；

步骤四，将锅炉的温度调整为150°，然后在坩埚中加入镓，熔化后将表层氧化物除去并搅拌；

步骤五，取出坩埚，将坩埚内的物质浇铸到烘干过的模具内，自然冷却至室温，得到合金成品。

6.根据权利要求5所述的芯片散热用镓液态金属合金的制造方法，其特征在于：所述步骤五中，模具的外壁固定有一超声波发生器，所述超声波发生器的声波发生方向朝向所述模具的内壁。

7.根据权利要求5所述的芯片散热用镓液态金属合金的制造方法，其特征在于：所述坩埚包括一容纳物料的加热部和一手持部，所述加热部与所述手持部焊接连接，所述加热部呈开口向上的圆筒状，所述手持部与所述加热部之间设有一挡板，所述挡板是由隔热材料制成的挡板。

8.根据权利要求7所述的芯片散热用镓液态金属合金的制造方法，其特征在于：所述加热部的底部设有至少三个凸起，所述至少三个凸起呈三角形排布在所述加热部的底部。

9.根据权利要求5所述的芯片散热用镓液态金属合金的制造方法，其特征在于：所述模具的下端部设有用于对模具冷却的冷水腔，所述模具的外壁设有一进水口和一出水口，所述进水口、所述出水口与所述冷水腔导通。

10.根据权利要求9所述的芯片散热用镓液态金属合金的制造方法，其特征在于：所述冷水腔内设有一温度传感器，所述温度传感器连接一微型处理器系统，所述进水口上设有第一电磁阀，所述出水口上设有第二电磁阀。