[发明专利]一种氮化镓基肖特基势垒整流器

权利要求书

1.一种氮化镓基肖特基势垒整流器，其特征在于，包括：

连通层；

位于所述连通层一侧的漂移层，该漂移层为单层或多层复合结构，其中的一层或多层材料的组分沿深度方向按预设调制函数改变，所述漂移层与所述连通层形成异质结结构，使所述漂移层内产生极化电荷,所述漂移层为铝镓氮、铟镓氮或其他可以与氮化镓形成异质结沟道的材料；

在所述漂移层远离所述连通层一侧表面刻蚀后沉积形成的金属氧化物沟槽；

位于所述漂移层远离所述连通层一侧的阳极金属；以及

位于所述连通层远离所述漂移层一侧的阴极金属。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基肖特基势垒整流器，其特征在于，所述漂移层中的一层或多层，其材料为铝镓氮、铟镓氮或任意可与所述连通层形成异质结机构的类似物，材料的铝组分或其他某组分的数值沿深度方向依照预设调制函数变化，变化范围在0至1之间。

3.根据权利要求1所述的氮化镓基肖特基势垒整流器，其特征在于，所述连通层为单层或多层复合结构，其中一层或多层为氮化镓、铝镓氮、铟镓氮、氮化铝或任意可与所述漂移层形成异质结结构的类似物。

4.根据权利要求1所述的氮化镓基肖特基势垒整流器，其特征在于，所述连通层包括衬底、缓冲层和通道层，所述氮化镓基肖特基势垒整流器还包括：

从所述阳极金属的表面刻蚀至所述衬底的阴极沟槽，所述阴极沟槽内沉积有用于将所述缓冲层、通道层和衬底电连通的金属连线层和沉积在所述金属连线层上用于隔离所述金属连线层与漂移层的隔离填充层。

5.根据权利要求1所述的氮化镓基肖特基势垒整流器，其特征在于，所述连通层包括衬底和外延层，所述漂移层包括与所述外延层接触以形成异质结结构的电荷层和位于所述电荷层和阳极金属之间以优化晶体表面形貌的帽层。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的氮化镓基肖特基势垒整流器，其特征在于，所述金属氧化物沟槽的深度小于所述漂移层的厚度，所述金属氧化物沟槽与所述漂移层之间沉积有氧化物垫层，所述氧化物垫层内沉积有填充金属层。

7.根据权利要求1至5任意一项所述的氮化镓基肖特基势垒整流器，其特征在于，所述漂移层的厚度为100nm-100μm。

8.根据权利要求1至5任意一项所述的氮化镓基肖特基势垒整流器，其特征在于，所述漂移层的掺杂浓度为10¹⁰cm^-3至10²³cm^-3。

9.根据权利要求1至5任意一项所述的氮化镓基肖特基势垒整流器，其特征在于，所述连通层的厚度为1μm-1cm。

10.根据权利要求1至5任意一项所述的氮化镓基肖特基势垒整流器，其特征在于，所述连通层的掺杂浓度为10¹⁰cm^-3至10²³cm^-3。