[发明专利]半导体器件及其制造方法以及分割半导体器件的方法有效
申请号: | 201611104136.2 | 申请日: | 2016-12-05 |
公开(公告)号: | CN107068617B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 张耀文;黄建修;蔡正原;郑光茗 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L23/488 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 以及 分割 | ||
本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法以及分割半导体器件的方法。在一些实施例中,制造半导体器件的方法包括在衬底中形成沟槽,沟槽形成在衬底的第一侧内并且设置在部分衬底周围。在衬底的第一侧上方和沟槽上方形成第一绝缘材料,并且在第一绝缘材料上方形成第二绝缘材料。在第二绝缘材料和部分衬底上方的第一绝缘材料中形成孔。在孔中形成部件,并且载体连接至部件和第二绝缘材料。平坦化衬底的第二侧,衬底的第二侧衬底的第一侧相对。去除第二绝缘材料,并且去除载体。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法以及分割半导体器件的方法。
技术领域
本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法以及分割半导体器件的方法。
背景技术
半导体器件可以用在诸如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备的各种电子应用中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层,并且使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。
半导体产业通过最小部件尺寸的不断减小来持续地改进各个电子组件(例如,晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度,其允许在给定的区域中集成更多的组件。
通常在单个半导体晶圆上制造几十或几百个集成电路。通过沿着切割线锯切集成电路来分割单独的管芯。然后,单独的管芯可以使用在最终应用或单独封装、多芯片模块、或封装的其它类型中。
发明内容
根据本发明的一个实施例,提供了一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:在衬底中形成沟槽,所述沟槽形成在所述衬底的第一侧内并且设置在所述衬底的部分周围;在所述衬底的第一侧上方和所述沟槽上方形成第一绝缘材料;在所述第一绝缘材料上方形成第二绝缘材料;在位于所述衬底的所述部分上方的所述第二绝缘材料和所述第一绝缘材料中形成多个孔;在位于所述衬底的所述部分上方的所述第二绝缘材料和所述第一绝缘材料中的所述多个孔的每个中均形成部件;将载体连接至所述部件和所述第二绝缘材料;平坦化所述衬底的第二侧,所述衬底的所述第二侧与所述衬底的所述第一侧相对;去除所述第二绝缘材料;以及去除所述载体。
根据本发明的另一实施例,还提供了一种分割半导体器件的方法,所述方法包括:在衬底的第一侧内形成有源电路区;在所述有源电路区周围形成沟槽;在所述衬底的所述第一侧上方和所述沟槽上方形成第一绝缘材料,其中,所述第一绝缘材料内衬于所述沟槽;在所述第一绝缘材料上方形成第二绝缘材料,所述第二绝缘材料包括第一层和设置在所述第一层上方的第二层;在所述有源电路区上方的所述第二绝缘材料和所述第一绝缘材料中形成多个孔;在位于所述有源电路区上方的所述第二绝缘材料和所述第一绝缘材料中的所述多个孔的每个中均形成接触件;将载体连接至所述第二绝缘材料和所述接触件;平坦化所述衬底的所述第二侧,所述衬底的所述第二侧与所述衬底的所述第一侧相对;去除所述第二绝缘材料;以及去除所述载体,其中,平坦化所述衬底的所述第二侧去除设置在所述第二绝缘材料的位于所述沟槽内的表面上方的所述第一绝缘材料,并且其中,去除所述第二绝缘材料包括分割包括所述有源电路区的集成电路管芯。
根据本发明的又一实施例,还提供了一种半导体器件,包括:有源电路,形成在衬底内或所述衬底上方;多个接触焊盘,设置在所述有源电路上方;Al2O3层,设置在所述有源电路的侧壁和表面上方以及所述多个接触焊盘的部分上方;以及接触件,设置在所述多个接触焊盘的每个上方,其中,所述接触件的部分设置在所述Al2O3层内。
附图说明
当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。
图1至图20是根据本发明一些实施例示出制造半导体器件的方法在各个阶段处的截面图。
图21A是根据一些实施例的图20中所示的集成电路管芯的仰视图。
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