[发明专利]一种光罩真空吸盘区域污染物的检测系统以及检测方法

说明书

本发明提供一种光罩真空吸盘区域污染物的检测系统以及检测方法，所述检测系统包括：光罩台，用于承载光罩；真空吸盘，位于所述光罩台内，用于抓紧放置于所述真空吸盘区域上方的光罩；真空吸盘控制模块，用于控制所述真空吸盘的抓紧或释放；信号收集处理模块，用于采集所述真空吸盘控制模块的真空电压，并绘制检测回归曲线；数据分析模块，其接收经所述信号收集处理模块输出的所述检测回归曲线的斜率结果，并分析所述光罩与所述真空吸盘接触的位置是否存在污染物。该系统可以实现实时监控真空吸盘控制模块的真空电压信号，不受其他系统的干扰，能够有效的侦测光罩与所述真空吸盘接触的位置是否存在污染物。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种光罩真空吸盘区域污染物的检测系统以及检测方法。

背景技术

半导体集成电路(Integrated Circuit，简称IC)也即半导体芯片在制造过程中需经历材料制备、制版、光刻、清洗、刻蚀、渗杂、化学机械抛光等多道工序，其中尤以光刻工艺最为关键。光刻工艺决定着半导体芯片制造工艺的先进程度，正是由于光刻技术的巨大进步才将集成电路制造工艺从微米时期带入深亚微米时代，进而迈入纳米时代。光刻工艺需要一整套(几块或多至十几块)相互间能精确套准、具有特定几何图形的光蚀刻掩蔽模版，简称光刻掩膜版(Mask)、掩膜版或光罩(Reticle)。光罩实际上是光刻工艺中光致抗蚀剂(俗称光刻胶，也称光阻)层的“印相底片”，其上印制了原始集成电路设计版图的几何图形。也就是说，从原始集成电路设计版图到晶圆片上电路图形的形成，中间需要经过制版环节，也即需要制作一套其上印制着原始集成电路设计版图图案的光罩作为“印相底片”。光刻工艺就是将该“印相底片”上的几何图形转印到晶圆片上，形成晶圆片上的电路图形。

扫描式光刻机的光罩台(Reticle stage)用于承载光罩，实现曝光过程中光罩与晶圆(Wafer)的相对运动。通常，光罩通过真空吸附在光罩台上，也即真空吸盘(VacuumPads)，如果该真空吸盘区域与光罩接触位置有颗粒(Particle)，会造成光罩位置/高度偏移，晶圆上将产生曝光单元离焦缺陷(By Shot Defocus Defect)，进而影响光罩在晶圆上的成像质量。

由于光罩储存/传递(bank/transfer)动作频繁，在光罩上吸附颗粒的概率相对较高。当前针对该问题往往采取以下措施，但这些都存在局限性：1)日常清洁光罩台真空区域，然而这种方法负载高，低效，不利于储存/传递问题的改善；2)通过iEMS(IntelligentEquipment Monitoring System)输出的参数数据来判断是否有颗粒等污染物，然而这种判断方式高负载并且容易误判，且很容易受到颗粒位置的干扰，升级成本高；3)光罩台扫描倾斜精细测试，属于设备工程师的日常检查，不能及时发现，并且测试光罩较脏，测试结果很难判断。总的来说，当前并没有一个及时有效的方法能够侦测到光罩台真空吸盘区域的颗粒情况。

因此，有必要提出一种光罩真空吸盘区域污染物的检测系统以及检测方法，以解决上述技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明实施例一中提供一种光罩真空吸盘区域污染物的检测系统，所述检测系统包括：

光罩台，用于承载光罩；

真空吸盘，位于所述光罩台内，用于抓紧放置于所述真空吸盘区域上方的光罩；

真空吸盘控制模块，用于控制所述真空吸盘的抓紧或释放；

信号收集处理模块，用于采集所述真空吸盘控制模块的真空电压，并绘制检测回归曲线；