[发明专利]快反向恢复SJ‑MOS的方法及其器件结构

权利要求书

1.快反向恢复SJ-MOS的方法，其特征在于：

包括以下步骤：

步骤一：在N+衬底上生长外延N-；

步骤二：通过Trench光刻板，刻蚀出深沟槽；

步骤三：在沟槽表面生长一层浅掺杂的N- -；

步骤四：随后，在N- -外延表面，生长P+外延，使之填充满沟槽，并进行CMP工艺，将沟槽外的N- -及P型外延去掉，形成N柱P柱相交替的超结结构；

步骤五：通过Body光刻板注入体区并退火形成body区，淀积场氧化成并回刻，通过栅氧、多晶硅淀积回刻形成gate，再注入As或P并推阱形成Nsource；

步骤六：淀积ILD并回刻，孔注，最后淀积金属并回刻，形成器件的最终结构。

2.根据权利要求1所述的快反向恢复SJ-MOS的方法，其特征在于：

步骤三中，在沟槽表面生长的浅掺杂的N- -，这层外延的掺杂浓度低于步骤一中的N型外延。

3.如权利要求1所述的快反向恢复SJ-MOS的器件结构。