[发明专利]一种OLED显示屏幕及其OLED像素排布结构有效
申请号: | 201611105013.0 | 申请日: | 2016-12-05 |
公开(公告)号: | CN106711173B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 李正吉 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 屏幕 及其 像素 排布 结构 | ||
本发明公开了一种OLED显示屏幕及其OLED像素排布结构,采用真实的RGB像素排列设计;红色像素单元、绿色像素单元均包括四个按阳极电极进行划分的子像素,蓝色像素单元则包括两个按阳极电极进行划分的蓝色子像素;所述第一像素单元排与所述第二像素单元排之间相邻的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素构成一个像素;同一个像素单元内的各个子像素的阳极电极之间间隔预设距离;由此最大化的利用空间,提高了开口率。
技术领域
本发明涉及OLED显示领域,特别涉及一种OLED显示屏幕及其OLED像素排布结构。
背景技术
市场上关于手机/平板电脑的发展趋势是高分辨率,高画质,大屏幕尺寸以及不一样的设计。因此,高分辨率的OLED图案化技术对于手机/平板电脑应用来说,是一项关键技术。当显示面板的分辨率越来越高,由于开口率的不断减小而造成OLED面板的性能下降,尤其是显示器寿命会急剧降低。由于良率与可量产性的问题,要依靠具有真实RGB像素设计的传统FFM(Fine Metal Mask,精细金属掩膜)OLED图案化技术来实现超过326ppi的高分辨率将有很多技术挑战。由于以上原因,OLED产业使用了视觉转化的RGB像素设计(pentile类型)来实现超过326ppi的高分辨手机显示。
为了OLED电视的应用,目前喷墨打印技术正在发展成为下一代的OLED图案化技术。最近,日本OLED制造商JOLED公司宣称已经使用喷墨打印图案化技术开发出19.3英寸的4K2K OLED面板(约230ppi分辨率)。但是,传统喷墨打印技术要实现手机产品所需的超过326ppi的高分辨率仍很困难。
因而现有的OLED显示屏幕的开口率还有待改进和提高。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足之处,本发明的目的在于提供一种OLED显示屏幕及其OLED像素排布结构,在采用真实的RGB像素排列设计的情况下,通过对OLED像素进行特定的排布来提高开口率。
为了达到上述目的,本发明采取了以下技术方案:
一种OLED像素排布结构,包括至少一个第一像素单元排和至少一个第二像素单元排,所述第二像素单元排排列于所述第一像素单元排的一侧,所述第一像素单元排包括多个沿第一方向相互间隔排列的红色像素单元和绿色像素单元,所述第二像素单元排包括多个沿所述第一方向依次排列的蓝色像素单元;所述红色像素单元包括四个按阳极电极进行划分的红色子像素,所述绿色像素单元包括四个按阳极电极进行划分的绿色子像素,所述蓝色像素单元包括两个按阳极电极进行划分的蓝色子像素;同一个像素单元内的各个子像素的阳极电极之间间隔预设距离;所述第一像素单元排与所述第二像素单元排之间相邻的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素构成一个像素。
所述的OLED像素排布结构中,所述红色像素单元中的四个红色子像素矩形阵列排布,所述绿色像素单元中的四个绿色子像素矩形阵列排布,所述蓝色像素单元中的两个蓝色子像素沿第二方向排列。
所述的OLED像素排布结构中,所述第一方向为列方向,所述第二方向为行方向或者列方向。
所述的OLED像素排布结构中,所述预设距离大于OLED器件叠层厚度的5倍。
所述的OLED像素排布结构中,所述预设距离大于4um。
所述的OLED像素排布结构中,同一个像素单元内的各个子像素的阳极电极之间设置有绝缘分隔层。
所述的OLED像素排布结构中,所述绝缘分隔层具有亲水的表面特性。
所述的OLED像素排布结构中,所述红色像素单元、绿色像素单元与蓝色像素单元三者之间均由像素界定层分隔。
所述的OLED像素排布结构中,所述红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元的图案化过程使用如下印刷方式中的一种:喷墨打印、喷嘴印刷、以及包括凹版印刷在内的卷式印刷方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的