[发明专利]柔性OLED显示器及其制作方法有效
申请号: | 201611106294.1 | 申请日: | 2016-12-05 |
公开(公告)号: | CN106654041B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 黄添旺;崔磊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 oled 显示器 及其 制作方法 | ||
1.一种柔性OLED显示器,其特征在于,包括柔性基板(100)、设于所述柔性基板(100)上的TFT阵列层(200)、设于所述TFT阵列层(200)上的OLED层(300)、设于所述TFT阵列层(200)及OLED层(300)上覆盖所述OLED层(300)的薄膜封装层(400)、设于所述TFT阵列层(200)及薄膜封装层(400)上覆盖所述薄膜封装层(400)的有机平坦层(500)、及设于所述TFT阵列层(200)及有机平坦层(500)上覆盖所述有机平坦层(500)的触控感测层(600);
所述触控感测层(600)包括设于所述TFT阵列层(200)及有机平坦层(500)上覆盖所述有机平坦层(500)的第一绝缘层(610)、设于所述TFT阵列层(200)及第一绝缘层(610)上覆盖所述第一绝缘层(610)的金属层(620)、及设于所述TFT阵列层(200)及金属层(620)上覆盖所述金属层(620)的第二绝缘层(630);
所述薄膜封装层(400)、有机平坦层(500)、及触控感测层(600)构成多层封装结构,所述多层封装结构与TFT阵列层(200)之间的接触面积增大,有效地提升了多层封装结构与TFT阵列层(200)之间的附着力。
2.如权利要求1所述的柔性OLED显示器,其特征在于,所述TFT阵列层(200)包括设于所述柔性基板(100)上的缓冲层(210)、设于所述缓冲层(210)上的有源层(220)、设于所述有源层(220)上的栅极绝缘层(230)、设于所述栅极绝缘层(230)上的栅极(240)、设于所述有源层(220)、栅极绝缘层(230)及栅极(240)上的层间介电层(250)、设于所述层间介电层(250)上的源极(261)与漏极(262)、设于所述源极(261)、漏极(262)及层间介电层(250)上的平坦化层(270)、设于所述平坦化层(270)上的图案化的像素电极(280)、及设于所述像素电极(280)及平坦化层(270)上的像素定义层(290);
所述层间介电层(250)上对应所述有源层(220)的两端分别设有第一通孔(251)、及第二通孔(252),所述源极(261)、及漏极(262)分别通过第一通孔(251)、及第二通孔(252)与有源层(220)的两端相连接;
所述平坦化层(270)上对应所述漏极(262)设有第三通孔(273),所述像素电极(280)通过所述第三通孔(273)与漏极(262)相连接;
所述像素定义层(290)上对应所述像素电极(280)设有第四通孔(294);
所述OLED层(300)设于所述像素定义层(290)上,所述OLED层(300)包括对应所述像素电极(280)设置的OLED像素图案(310),所述OLED像素图案(310)通过所述第四通孔(294)与对应的像素电极(280)相连接。
3.如权利要求2所述的柔性OLED显示器,其特征在于,所述有源层(220)的材料为非晶硅、低温多晶硅、氧化物半导体、碳纳米管、或石墨烯。
4.如权利要求1所述的柔性OLED显示器,其特征在于,所述柔性基板(100)的材料为聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚苯硫醚、及聚芳酯中的一种或多种的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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