[发明专利]半导体装置和半导体集成电路

权利要求书

1.一种半导体集成电路，包括：

存储器模块；以及

控制所述存储器模块的控制器，

其中所述存储器模块包括电源电路，

其中所述电源电路包括：

控制电压产生电路，所述控制电压产生电路输出用于控制电流源的控制电压；以及

滤波器电路，所述滤波器电路被设置在所述控制电压产生电路与所述电流源之间，并且去除所述控制电压的噪声；

其中，所述滤波器电路包括：

第一电阻元件，所述第一电阻元件被设置在所述控制电压产生电路与输出所述控制电压的输出节点之间，

第一电容元件，所述第一电容元件被设置在所述输出节点与第一电压之间，

第二电容元件，所述第二电容元件以与所述第一电容元件并联的方式来被耦合在所述输出节点与所述第一电压之间，以及

第一开关元件，所述第一开关元件被设置在所述第二电容元件与所述输出节点之间，

其中，所述第一开关元件在低功耗模式下被设置为非导通状态，并且当从所述低功耗模式返回时被设置为导通状态，以及

其中，所述第二电容元件在所述低功耗模式下被耦合在所述第一电压与第二电压之间，并且当从所述低功耗模式返回时通过所述输出节点来与所述第一电容元件耦合。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，

所述滤波器电路还包括第二开关元件，所述第二开关元件被设置在位于所述第二电容元件与所述第一开关元件之间的内部节点和所述第二电压之间，并且所述第二开关元件与所述第一开关元件互补地操作。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，

当所述第一开关元件为导通时，基于所述第一电阻元件的电阻分量以及所述第一电容元件和所述第二电容元件的电容分量来设置所述滤波器电路的截止频率。

4.根据权利要求2所述的半导体集成电路，其中，所述控制电压产生电路包括：

晶体管，所述晶体管的源极与所述第一电压耦合，

第二电阻元件，所述第二电阻元件被设置在所述晶体管的漏极和所述第二电压之间，以及

运算放大器，所述运算放大器基于在所述晶体管与所述第二电阻元件之间的耦合节点的电压以及基准电压的输入，来将所述控制电压输出到所述晶体管的栅极。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，

其中，根据激活信号来激活所述运算放大器，以及

其中，所述第一开关元件和所述第二开关元件接收所述激活信号的输入。

6.根据权利要求2所述的半导体集成电路，其中，

所述第一开关元件和所述第二开关元件中的每一个是由MOS晶体管形成的。

7.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，

所述控制器指令所述存储器模块来从所述低功耗模式移动到读取待机模式。