[发明专利]晶体管阵列基板及应用的显示面板有效
申请号: | 201611108620.2 | 申请日: | 2016-12-06 |
公开(公告)号: | CN107154403B | 公开(公告)日: | 2020-01-03 |
发明(设计)人: | 林峻良;崔博钦;陈宏昆;许乃方;陈奕静 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 阵列 应用 显示 面板 | ||
1.一种晶体管阵列基板,包含多个晶体管设置在一基材上,其中该些晶体管中的一晶体管包括:
栅极电极,设置在该基材上;
第一绝缘层,设置在该栅极电极上;
有源层,设置在该第一绝缘层上,包含通道区;
源极电极和漏极电极,设置在该有源层上,其中该源极电极和该漏极电极中的至少一者包含:
第一导电层,设置在该有源层上;和
第二导电层,设置在该第一导电层上并与该第一导电层接触;
其中该第二导电层暴露出该第一导电层的部分上表面,以使该第一导电层于该第二导电层的边缘处具有一第一突出部朝向该通道区延伸,该第一导电层于该第二导电层的边缘处具有一第三突出部,该第三突出部远离该通道区延伸;和
第二绝缘层,覆盖该源极电极和该漏极电极,其中该第二绝缘层的部分上表面具有弧形边缘。
2.如权利要求1所述的晶体管阵列基板,其中该第一突出部的长度小于等于0.36微米。
3.如权利要求1所述的晶体管阵列基板,其中该第一突出部的长度大于等于该第二导电层的厚度的20%。
4.如权利要求1所述的晶体管阵列基板,其中该第一突出部包含第一侧边和第一底边,该第二导电层包含第二侧边和第二底边,该第二侧边邻近于该通道区,其中该第一侧边和该第一底边的夹角θ1大于该第二侧边和该第二底边的夹角θ2。
5.如权利要求1所述的晶体管阵列基板,其中该栅极电极包括下导电层和上导电层,该下导电层设置在该基材上,该上导电层设置在该下导电层上,其中该下导电层于该上导电层的边缘处具有第二突出部突出于该上导电层。
6.如权利要求5所述的晶体管阵列基板,其中该第一突出部的长度大于该第二突出部的长度。
7.如权利要求1所述的晶体管阵列基板,其中该有源层的边缘超过该栅极电极的边缘。
8.如权利要求1所述的晶体管阵列基板,其中该源极电极和该漏极电极中的该至少一者覆盖该有源层的侧边。
9.如权利要求1所述的晶体管阵列基板,其中该第一导电层覆盖该有源层的侧边。
10.一种显示面板,包括:
第一基板,包括多个晶体管设置在一基材上,其中该些晶体管中的一晶体管包含;
栅极电极,设置在该基材上;
第一绝缘层,设置在该栅极电极上;
有源层,设置在该第一绝缘层上,包含通道区;
源极电极和漏极电极,设置在该有源层上,其中该源极电极和该漏极电极中的至少一者包含:
第一导电层,设置在该有源层上;
第二导电层,设置在该第一导电层上并与该第一导电层接触;
其中该第二导电层暴露出该第一导电层的部分上表面,以使该第一导电层于该第二导电层的边缘处具有一第一突出部朝向该通道区延伸,该第一导电层于该第二导电层的边缘处具有一第三突出部,该第三突出部远离该通道区延伸;和
第二绝缘层,覆盖该源极电极和该漏极电极,其中该第二绝缘层的部分上表面具有弧形边缘;和
第二基板,与该第一基板相对设置;和
显示介质层,设置于该第一基板与该第二基板之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的