[发明专利]无电镀铜镀液及增加铜镀层硬度的无电镀铜方法有效

申请号：	201611108797.2	申请日：	2016-12-06
公开（公告）号：	CN106917077B	公开（公告）日：	2019-09-27
发明（设计）人：	魏明国;林彦瑾;林春茹	申请（专利权）人：	钧泽科技有限公司
主分类号：	C23C18/40	分类号：	C23C18/40
代理公司：	北京泰吉知识产权代理有限公司 11355	代理人：	张雅军;史瞳
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	增硬剂无电镀铜整平剂铜离子镀液镀层硬度错合剂还原剂季铵盐铜镀层铜晶粒硒离子碲离子铊离子溶剂镀层亚胺自聚咪唑
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【权利要求书】：

1.一种无电镀铜镀液，用于形成包含铜晶粒的镀层，其特征在于包含：溶剂、铜离子、错合剂、还原剂、整平剂，及增硬剂，该整平剂选自聚亚胺、咪唑系季铵盐材料，或上述的组合，该增硬剂选自铊离子、碲离子、硒离子，或上述任意组合，且该增硬剂属离子型，在该无电镀铜镀液中以离子的形式存在，且与铜共同析出并分布于铜晶粒周围，其中，该铊离子的浓度为0.020g/L～0.045g/L、碲离子的浓度为0.010g/L～0.020g/L、硒离子的浓度为0.010g/L～0.012g/L；该无电镀铜镀液所形成的该镀层的维氏硬度大于170。

2.根据权利要求1所述的无电镀铜镀液，其特征在于：该整平剂的聚亚胺为聚乙烯亚胺，该咪唑系季铵盐材料为咪唑/环氧氯丙烷共聚物。

3.根据权利要求1所述的无电镀铜镀液，其特征在于：该铊离子是源自甲酸铊，该碲离子是源自二氧化碲，该硒离子是源自硒氰酸钾。

4.根据权利要求1所述的无电镀铜镀液，其特征在于：该整平剂的分子量介于100至3000。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的无电镀铜镀液，其特征在于：该整平剂的浓度为0.01至0.8g/L。

6.根据权利要求5所述的无电镀铜镀液，其特征在于：该整平剂的浓度为0.02至0.3g/L。

7.根据权利要求5所述的无电镀铜镀液，其特征在于：当该整平剂为聚亚胺时，浓度为0.01至0.2g/L，当该整平剂为咪唑系季铵盐材料时，浓度为0.02至0.8g/L。

8.根据权利要求5所述的无电镀铜镀液，其特征在于：当该整平剂为聚亚胺时，浓度为0.02至0.15g/L，当该整平剂为咪唑系季铵盐材料时，浓度为0.05至0.3g/L。

9.一种增加铜镀层硬度的无电镀铜方法，其特征在于包含以下步骤:取一试片经前处理后，再浸入如权利要求1所述的无电镀铜镀液，以成长铜镀层。

10.根据权利要求9所述的增加铜镀层硬度的无电镀铜方法，其特征在于：该无电镀铜镀液的温度控制在40至60℃。

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