[发明专利]一种双面电池边缘无损伤隔离方法

权利要求书

1.一种双面电池边缘无损伤隔离方法，其特征在于，包括：

在经过正面硼扩散和刻蚀之后的硅片的背面边缘和侧面，制作环形的扩散阻挡层，其中，所述硅片的背面边缘的所述扩散阻挡层具有预设宽度，所述预设宽度为1毫米至3毫米；

在所述硅片背面的所述扩散阻挡层环绕的区域内，进行磷扩散形成n+层和PSG层；

去除所述扩散阻挡层和所述PSG层；

所述制作环形的扩散阻挡层为将所述硅片放置于形状相同且尺寸小于所述硅片的衬底上，所述硅片背面只有边缘部分暴露出来，利用PECVD方法或者LPCVD方法制作环形的SiN_xO_y掩膜层；

所述在所述硅片的背面边缘和侧面，制作环形的扩散阻挡层的同时，还包括在所述硅片的正面制作扩散阻挡层。

2.根据权利要求1所述的双面电池边缘无损伤隔离方法，其特征在于，

所述制作环形的扩散阻挡层为：

制作厚度范围为40纳米至60纳米的环形的扩散阻挡层。

3.根据权利要求1-2任一项所述的双面电池边缘无损伤隔离方法，其特征在于，

所述去除所述扩散阻挡层和所述PSG层为：

利用氢氟酸溶液刻蚀10分钟至20分钟，去除所述扩散阻挡层和所述PSG层。