[发明专利]一种钛合金电化学氧化后低温玻璃封接工艺有效
| 申请号： | 201611112549.5 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106757275B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 张勇强;闫军 | 申请（专利权）人： | 四川华丰企业集团有限公司 |
| 主分类号： | C25D11/26 | 分类号： | C25D11/26;C03C8/24;C03C29/00 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李林合;李蕊 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钛合金 封接 电化学氧化 玻璃封接 低温玻璃 阴极 低温封接玻璃 热膨胀系数 阳极 电解氧化 工艺过程 空气氛围 硫酸溶液 脱脂处理 烧结 脱脂 玻璃坯 电解液 电阻率 内导体 石墨板 铅板 制备 软化 | ||
1.一种钛合金电化学氧化后低温玻璃封接工艺，其特征在于，包括以下步骤：
（1）对钛合金进行常规脱脂处理；
（2）选用软化温度为430~460℃、封接温度为520~540℃、热膨胀系数8.5~10.0×10-6/（25~300℃）、电阻率大于1014Ω·cm的低温封接玻璃，按常规方法将其制备成玻璃坯；
（3）在20℃条件下，以浓度为150~200g/L的硫酸溶液作为电解液，脱脂后的钛合金作为阳极，铅板或石墨板作为阴极，在18~30V的直流电压下，电解25~35min，使钛合金表面形成一层均匀的氧化膜；
（4）将4J50材料的内导体工件常规脱脂后置于650~700℃条件下空气氧化10~20min，使内导体工件表面形成一层均匀的氧化膜；
（5）将形成氧化膜的钛合金即钛合金壳体、形成氧化膜的内导体工件和玻璃坯安装于石墨模具中，密封石墨盒，然后置于640~660℃的马弗炉中，保温60~80min，冷却至室温后将封闭石墨盒取出。
2.根据权利要求1所述的钛合金电化学氧化后低温玻璃封接工艺，其特征在于，步骤（3）中硫酸溶液浓度为180g/L。
3.根据权利要求1所述的钛合金电化学氧化后低温玻璃封接工艺，其特征在于，步骤（3）中电解条件为在24V的直流电压下，电解30min。
4.根据权利要求1所述的钛合金电化学氧化后低温玻璃封接工艺，其特征在于，步骤（4）中空气氧化温度为680~690℃，氧化时间为10min。
5.根据权利要求1所述的钛合金电化学氧化后低温玻璃封接工艺，其特征在于，步骤（5）中将形成氧化膜的钛合金即钛合金壳体、形成氧化膜的内导体工件和玻璃坯安装于石墨模具中，密封石墨盒，然后置于650~660℃的马弗炉中，保温60min。
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