[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

位于衬底上方的晶体管，所述晶体管包括：

位于鳍式结构上方的栅极结构；以及

位于所述鳍式结构内并且邻近所述栅极结构的源极/漏极区；

覆盖在所述晶体管上的钝化层；

位于所述钝化层上方的扩散阻挡层，其中，所述扩散阻挡层包括多个蚀刻停止层，并且所述多个蚀刻停止层的每个均不覆盖所述栅极结构；

源极/漏极接触件，所述源极/漏极接触件延伸穿过所述扩散阻挡层和所述钝化层以电连接至所述源极/漏极区，其中，所述扩散阻挡层横向设置在所述源极/漏极接触件和所述栅极结构之间；以及

接触件，位于所述源极/漏极接触件上方并且电连接至所述源极/漏极接触件，其中，所述接触件接触所述源极/漏极接触件的顶面和侧壁，并且所述接触件的底面位于所述扩散阻挡层中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极/漏极接触件和所述扩散阻挡层被介电层完全分隔开。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个蚀刻停止层包括：

氧化物层；

覆盖在所述氧化物层上的第一氮化物层；以及

覆盖在所述第一氮化物层上的第二氮化物层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述接触件的底面位于所述多个蚀刻停止层的所述第一氮化物层中。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述扩散阻挡层由选自由TiN、SiN以及它们的组合组成的组的材料制成。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个蚀刻停止层包括至少一个氧化物层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个蚀刻停止层包括至少两个氮化物层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述氮化物层由选自由TiN、SiN以及它们的组合组成的组的材料制成。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极/漏极接触件包括位于所述钝化层下方的第一部分和位于所述第一部分上方的第二部分。

10.一种半导体器件，包括：

位于衬底上方的晶体管，所述晶体管包括：

跨越鳍式结构的栅极结构；以及

位于所述鳍式结构内并且邻近所述栅极结构的源极/漏极区；

位于所述晶体管上方的复合阻挡结构，所述复合阻挡结构包括多个蚀刻停止层，并且所述多个蚀刻停止层的每个均不覆盖所述栅极结构；

穿透通过所述复合阻挡结构并且电连接至所述源极/漏极区的源极/漏极接触件，其中，所述复合阻挡结构横向设置在所述源极/漏极接触件和所述栅极结构之间；以及

接触件，位于所述源极/漏极接触件上方并且电连接至所述源极/漏极接触件，其中，所述接触件接触所述源极/漏极接触件的顶面和侧壁，并且所述接触件的底面位于所述复合阻挡结构中。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述多个蚀刻停止层包括：

氧化物层；

覆盖在所述氧化物层上的第一氮化物层；以及

覆盖在所述第一氮化物层上的第二氮化物层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一氮化物层和所述第二氮化物层分别由各自地选自由TiN、SiN以及它们的组合组成的组的材料制成。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，进一步包括位于所述晶体管和所述多个蚀刻停止层之间的第二蚀刻停止层。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述接触件包括与所述源极/漏极接触件不同的材料。