[发明专利]单晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201611115143.2 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106894083B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 铃木优作 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B13/12;C30B13/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李志强;鲁炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 混合气体 结晶缺陷 气孔缺陷 侧直 筒部 位错 感应加热线圈 生长 成品率 硅原料 投料量 直筒部 放电 单晶 底锥 顶锥 炉内 狭缝 制造 | ||
1.单晶硅的制造方法，其是使用基于悬浮区熔融法的单晶制造装置制造单晶硅时向炉内供给氮与氩的混合气体来制造单晶硅的方法，其特征在于，
上述单晶硅的生长期间，改变上述混合气体中的氮浓度，使单晶硅的直筒部的氮浓度在2.0×1014个原子/cm3以上且4.0×1015个原子/cm3以下的范围内，来生长上述单晶硅。
2.权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其中，生长上述单晶硅的直筒部时，将上述直筒部的终端处的氮气供给量调整为少于上述直筒部的始端处的供给量。
3.权利要求1或2所述的单晶硅的制造方法，其中，上述单晶制造装置具备用于供给氮气的至少第1和第2的2个供给管，通过上述第1和/或第2供给管向炉内供给氮气。
4.权利要求3所述的单晶硅的制造方法，其中，基于上述第2供给管的氮气的供给仅在上述单晶的顶锥部进行。
5.权利要求3所述的单晶硅的制造方法，其中，根据上述单晶直径改变基于上述第2供给管的氮气的供给量，由此调整掺入到单晶内的氮量。
6.权利要求3所述的单晶硅的制造方法，其中，根据上述单晶直径改变基于上述第2供给管的氮气的供给时间，由此调整掺入到单晶内的氮量。
7.单晶硅的制造装置，其是基于悬浮区熔融法的单晶硅的制造装置，其特征在于，
在炉外分别设置有与氩气源连接的主供给管和与氮气源连接的第1和第2供给管，上述第1和第2供给管合并后与上述主供给管连接，
用于向炉内供给氮和氩的混合气体的气体供给口设置在感应加热线圈附近的炉壁，
从上述单晶硅的生长开始至结束为止的期间，上述第1供给管以通过上述主供给管和上述气体供给口向上述炉内供给氮气的方式构成，
在制造上述单晶硅的顶锥部的期间，上述第2供给管以通过上述主供给管和上述气体供给口向上述炉内供给氮气的方式构成。
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