[发明专利]3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法有效
申请号: | 201611116599.0 | 申请日: | 2016-12-07 |
公开(公告)号: | CN106653621B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 刘君芳;仝金雨;李桂花;郭伟 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L27/115 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | nand 堆叠 结构 样品 开封 方法 | ||
1.一种3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法,其特征在于,所述3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法包括如下步骤:
将样品放入第一发烟硝酸中加热至去掉外壳;
将去掉外壳的样品放到加热台上进行碳化,以形成碳化物;
将碳化后的样品放入第二发烟硝酸中,所述第二发烟硝酸与所述碳化物反应以对其进行去胶。
2.如权利要求1所述的3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法,其特征在于,将样品放入第一发烟硝酸中加热至去掉外壳包括:在所述第一发烟硝酸中放入样品后,加热所述第一发烟硝酸至160℃~180℃,其中,加热时间为10分钟~15分钟。
3.如权利要求1所述的3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法,其特征在于,在将去掉外壳的样品放到加热台上前,所述3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法还包括:清洗并且吹干所述去掉外壳的样品。
4.如权利要求3所述的3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法,其特征在于,使用去离子水清洗所述去掉外壳的样品,并且使用氮气吹干使用去离子水清洗过的所述去掉外壳的样品。
5.如权利要求1所述的3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法,其特征在于,在将去掉外壳的样品放到加热台上进行碳化中,所述加热台加热至450℃~550℃,加热时间为50分钟~70分钟。
6.如权利要求1所述的3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法,其特征在于,将碳化后的样品放入第二发烟硝酸中以对其进行去胶之前,所述3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法还包括:将所述第二发烟硝酸加热至150℃~200℃,并持续加热2分钟~3分钟。
7.如权利要求6所述的3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法,其特征在于,将碳化后的样品放入第二发烟硝酸中以对其进行去胶包括:
当碳化后的样品在第二发烟硝酸中上下翻腾时,则将所述第二发烟硝酸的温度调低;
当碳化后的样品中有薄片脱开时,则将所述第二发烟硝酸的温度再次调低。
8.如权利要求7所述的3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法,其特征在于,当碳化后的样品在第二发烟硝酸中上下翻腾时,则将所述第二发烟硝酸的温度调低至90℃~110℃。
9.如权利要求7所述的3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法,其特征在于,当碳化后的样品中有薄片脱开时,则将所述第二发烟硝酸的温度调低至10℃~30℃。
10.如权利要求7所述的3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法,其特征在于,所述3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法还包括:将所述第二发烟硝酸的温度调低至10℃~30℃后,10分钟~15分钟后取出薄片。
11.如权利要求1所述的3D-NAND堆叠式结构的样品开封方法,其特征在于,所述第一发烟硝酸和所述第二发烟硝酸均是含硝酸90%~97.5%的液体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造