[发明专利]横向双扩散晶体管及其漂移区的制造方法

权利要求书

1.一种横向双扩散晶体管漂移区的制造方法，包括以下步骤：

在衬底表面依次至少淀积第一介质层和第二介质层，形成掩膜层；

通过涂覆胶层曝光打开漂移区的中间位置，利用胶层作为阻挡，对第二介质层进行各向异性刻蚀，并进行第一次漂移区的注入，形成第一掺杂区；

利用涂覆在最后介质层上的胶层作为阻挡，对第二介质层进行各向同性刻蚀；

去除胶层，利用第二介质层进行阻挡，再进行第二次漂移区的注入，形成第二掺杂区；

其中，所述第一掺杂区和第二掺杂区的类型相同，二者共同组成线性梯度掺杂的漂移区。

2.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管漂移区的制造方法，其特征在于：所述的第一介质层为氧化层，所述第二介质层为氮化硅层。

3.根据权利要求2所述的横向双扩散晶体管漂移区的制造方法，其特征在于：所述的第一介质层的厚度为50～1000埃，所述的第二介质层的厚度为50～3000埃。

4.一种横向双扩散晶体管漂移区的制造方法，包括以下步骤：

在衬底表面依次至少淀积第一介质层、第二介质层和第三介质层，形成掩膜层；

通过涂覆胶层曝光打开漂移区的中间位置，利用胶层作为阻挡，对第二介质层和第三介质层进行各向异性刻蚀，并进行第一次漂移区的注入，形成第一掺杂区；

去掉胶层，并进行第一次退火；利用第三介质层的阻挡，对第二介质层进行各向同性刻蚀；

去除第三介质层，利用第二介质层进行阻挡，再进行第二次漂移区的注入，形成第二掺杂区；

其中，所述第一掺杂区和第二掺杂区的类型相同，二者共同组成线性梯度掺杂的漂移区。

5.根据权利要求4所述的横向双扩散晶体管漂移区的制造方法，其特征在于：所述的第一介质层为氧化层，所述第二介质层为氮化硅层，所述的第三介质层也为氧化层。

6.根据权利要求5所述的横向双扩散晶体管漂移区的制造方法，其特征在于：所述的第一介质层的厚度为50～1000埃，所述的第二介质层的厚度为50～3000埃，所述的第三介质层的厚度为50～3000埃。

7.一种横向双扩散晶体管漂移区的制造方法，包括以下步骤：

在衬底表面依次至少淀积第一介质层和第二介质层，形成掩膜层；

通过涂覆胶层曝光打开漂移区的中间位置，利用胶层作为阻挡，对第二介质层进行各向异性刻蚀，并进行第一次漂移区的注入，形成第一掺杂区；

利用涂覆在最后介质层上的胶层作为阻挡，对第二介质层进行各向同性刻蚀；

去除胶层，利用第二介质层进行阻挡，再进行第二次漂移区的注入，形成第二掺杂区；

其中，所述第一掺杂区和第二掺杂区的类型相反，第一掺杂区与衬底层的掺杂类型相同。

8.根据权利要求7所述的横向双扩散晶体管漂移区的制造方法，其特征在于：所述横向双扩散晶体管的漏端引出处设置有与第二掺杂类型相同的阱，并将第一掺杂区切断为左右两部分，以实现对第二掺杂区的引出；第一掺杂区和衬底对第二掺杂区的共同耗尽作用，使第二掺杂区浓度更高，以获得高关断击穿电压和低导通阻抗。

9.一种横向双扩散晶体管漂移区的制造方法，其特征在于：

在衬底表面依次至少淀积第一介质层、第二介质层和第三介质层，形成掩膜层；

通过涂覆胶层曝光打开漂移区的中间位置，利用胶层作为阻挡，对第二介质层和第三介质层进行各向异性刻蚀，并进行第一次漂移区的注入，形成第一掺杂区；

去掉胶层，并进行第一次退火；利用第三介质层的阻挡，对第二介质层进行各向同性刻蚀；

去除第三介质层，利用第二介质层进行阻挡，再进行第二次漂移区的注入，形成第二掺杂区；

其中，所述第一掺杂区和第二掺杂区的类型相反，第一掺杂区与衬底掺杂类型相同。

10.根据权利要求9所述的横向双扩散晶体管漂移区的制造方法，其特征在于：所述横向双扩散晶体管的漏端引出处设置有与第二掺杂类型相同的阱，并将第一掺杂区切断为左右两部分，以实现对第二掺杂区的引出；第一掺杂区和衬底对第二掺杂区的共同耗尽作用，使第二掺杂区浓度更高，以获得高关断击穿电压和低导通阻抗。

11.一种横向双扩散晶体管，其特征在于：其漂移区由以上权利要求1-10的任意一种制造方法制造而成。