[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法有效
| 申请号： | 201611118511.9 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106611808B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/04;H01L33/14;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
在衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型GaN层、N型插入层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层；
其中，所述N型GaN层的生长温度＞所述N型插入层的生长温度＞所述有源层的生长温度；所述N型插入层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层为第一N型掺杂的GaN层和第二N型掺杂的GaN层交替层叠形成的超晶格结构，所述第一N型掺杂的GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度、所述第二N型掺杂的GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度均小于所述N型GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度，且所述第一N型掺杂的GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度与所述第二N型掺杂的GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度不同；所述第二子层为AlGaN层或者至少三层AlGaN层和至少三层GaN层交替层叠形成的超晶格结构；所述第三子层为InGaN层。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第一子层的生长温度＞所述第二子层的生长温度＞所述第三子层的生长温度。
3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述第一子层的生长温度为1060～1100℃。
4.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述第二子层的生长温度为1030～1060℃。
5.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述第三子层的生长温度为900～1020℃。
6.根据权利要求1～5任一项所述的生长方法，其特征在于，所述第二子层中的AlGaN层的生长压力＜所述第二子层中的GaN层的生长压力。
7.根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于，所述第二子层中的AlGaN层的生长压力为50～200torr。
8.根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于，所述第二子层中的GaN层的生长压力为200～350torr。
9.根据权利要求1～5任一项所述的生长方法，其特征在于，所述有源层包括InGaN量子阱层，所述InGaN量子阱层中In组分含量高于所述第三子层中In组分含量。
10.根据权利要求1～5任一项所述的生长方法，其特征在于，所述N型GaN层的生长温度为1000～1100℃。
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