[发明专利]半导体制冷装置的控制方法

权利要求书

1.一种半导体制冷装置的控制方法，所述半导体制冷装置的控制方法包括：

S1：提供半导体制冷装置，所述半导体制冷装置包括制冷间室和用以给所述制冷间室制冷的制冷系统，所述制冷系统包括：至少三个半导体制冷片、控制系统和检测单元，每一所述半导体制冷片均包括冷端和热端，至少三个所述半导体制冷片的冷端和热端依次连接，至少三个所述半导体制冷片包括冷端为自由端的第一半导体制冷片和热端为自由端的第二半导体制冷片，所述第一半导体制冷片的冷端设置在所述制冷间室内，所述第二半导体制冷片的热端设置在所述制冷间室外，所述控制系统与每一所述半导体制冷片电性连接以分别控制每一所述半导体制冷片的工作，所述检测单元与所述控制系统电性连接，用以检测间室温度T₁和制冷间室外的室外温度T₂并传送至控制系统；

S2：设置预设温度T₀；

S3：所述检测单元检测间室温度T₁和室外温度T₂并传送至控制系统；

S4：所述控制系统根据预设温度T₀与室外温度T₂的第一差值ΔT₁或者间室温度T₁与室外温度T₂的第二差值ΔT₂以控制不同数量的半导体制冷片工作，所述半导体制冷装置的控制方法还包括在步骤S4前的步骤S31，S31：比较间室温度T₁和预设温度T₀，若间室温度T₁大于预设温度T₀，则进入步骤S4；若间室温度T₁小于等于预设温度T₀，则控制系统控制半导体制冷片停止工作并进入步骤S3，所述制冷系统包括三个半导体制冷片，所述控制系统内预存第一温度预设值T_a、第二温度预设值T_b及预设时间t，其中第一温度预设值T_a大于第二温度预设值T_b，其特征在于：步骤S4进一步包括如下步骤：

S41：比较第一差值ΔT₁与第一温度预设值T_a，若第一差值ΔT₁大于第一温度预设值T_a，则控制系统控制三个半导体制冷片工作，且在工作了预设时 间t后，进入步骤S31；若第一差值ΔT₁小于等于第一温度预设值T_a，则进入步骤S42；

S42：比较第一差值ΔT₁与第二温度预设值T_b，若第一差值ΔT₁大于第二温度预设值T_b，则控制系统控制两个半导体制冷片工作，且在工作了预设时 间t后，进入步骤S31；若第一差值ΔT₁小于等于第二温度预设值T_b，则控制系统控制一个半导体制冷片工作，且在工作了预设时 间t后，进入步骤S31。