[发明专利]异质接面太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种异质接面太阳能电池，其特征在于，包含：

一半导体基板，具有彼此相对的一第一表面与一第二表面；

一第一本质非晶硅层，配置于该第一表面上；

一P型非晶硅层，配置于该第一本质非晶硅层上；

一第二本质非晶硅层，配置于该第二表面上；

一N型非晶硅层，配置于该第二本质非晶硅层上；

一第一透明导电层，配置于该P型非晶硅层上；

一第二透明导电层，配置于该N型非晶硅层上；

多个电极线，配置于该第一透明导电层上；以及

一电极层，配置于该第二透明导电层上。

2.根据权利要求1的异质接面太阳能电池，其特征在于，该第一表面与该第二表面皆具有多个四角锥结构。

3.根据权利要求1的异质接面太阳能电池，其特征在于，该第一透明导电层与该第二透明导电层的材质选自于由氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化镉、氧化铬铜、氧化锶铜、氧化铜铝、镁铟氧化物、镉锡氧化物、锡锑氧化物、锡镓氧化物、镓锌氧化物、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、掺杂铝的氧化锌、掺杂硼的氧化锌以及掺杂氟的氧化锡所组成的群组。

4.根据权利要求1的异质接面太阳能电池，其特征在于，该P型非晶硅层的厚度介于10nm至15nm。

5.根据权利要求1的异质接面太阳能电池，其特征在于，该P型非晶硅层的能隙大于或等于1.5eV且小于或等于1.8eV。

6.根据权利要求1的异质接面太阳能电池，其特征在于，该N型非晶硅层的厚度大于或等于5nm且小于或等于10nm。

7.根据权利要求1的异质接面太阳能电池，其特征在于，该第一透明导电层与该第二透明导电层的厚度皆大于或等于80nm且小于或等于100nm。

8.根据权利要求1的异质接面太阳能电池，其特征在于，该第一本质非晶硅层与该第二本质非晶硅层的厚度皆小于或等于10nm，且能隙大于或等于1.5eV且小于或等于1.8eV。

9.根据权利要求1的异质接面太阳能电池，其特征在于，该电极层完全覆盖该第二透明导电层。