[发明专利]一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法有效

专利信息
申请号: 201611120113.0 申请日: 2016-12-08
公开(公告)号: CN106844830B 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: 钱利波;夏银水;叶益迭;施阁 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 代理人: 谢潇
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 快速 预测 耦合 玻璃 互连 传输 特性 数值 方法
【说明书】:

发明公开了一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法,借助于MATLAB数值软件快速有效地计算耦合TGV互连传输特性,分析玻璃通孔的底部孔半径、顶部孔半径、通孔高度、通孔间的孔间距和衬底的电导率等设计参数对于耦合TGV传输特性的影响,克服了现有HFSS电磁仿真软件与HSPICE电路仿真软件仿真时间长,执行效率低的缺点,提高了三维集成电路的设计效率;本发明在预测TGV互连传输特性时,考虑了TGV的孔间耦合噪声,能够在考虑TGV耦合效应的要求下,快速精确计算出SGS和GSSG类型的TGV信号传输模式下的耦合TGV互连传输特性,克服了现有解析技术中仅分析单个信号TGV互连传输特性,而没有考虑临近信号通孔对于目标信号TGV互连传输质量产生影响的问题。

技术领域

本发明属于电子技术领域,具体涉及一种快速预测耦合玻璃通孔互连传输特性的数值方法,可用于三维集成电路的前端设计,快速预测玻璃通孔在耦合串扰效应下的互连传输特性。

背景技术

玻璃通孔(即Through Glass Via,简称TGV)技术是实现2.5维与3维集成封装系统的有效策略。TGV通过刻蚀或激光融化在玻璃衬底中开凿通孔,之后在通孔内电镀填充金属铜或钨等材料形成。但受开孔工艺的限制,开凿的通孔为锥形,且通孔的尺寸普遍大于标准逻辑单元,例如,45nm工艺下,TGV典型尺寸是5um×5um,约为方形标准单元的4倍,容易成为新的片上耦合噪声源;此外,由于芯片间通信带宽需求的增加,有限单元硅片内集成的信号TGV数目与分布密度相应增长,国际半导体工业协会预测,2017年集成电路TGV分布密度将达到107/mm2;这些因素导致TGV在信号传输过程中承受着严重的孔间串扰噪声,必须对耦合TGV的信号传输特性进行快速有效分析。

当前研究耦合TGV互连传输特性的方法主要有两种:一种是采用三维结构电磁场仿真软件HFSS进行仿真分析。Ansoft HFSS采用有限元法、自适应网格剖分、ALPS快速扫频、切向元等技术,集成了工业标准的建模系统,可以分析电磁场数值解和开边界问题,近远场辐射问题,计算耦合TGV的S参数和相应端口阻抗的归一化S参数,并精确的预测耦合TGV互连传输特性。但该方法在网格划分及带宽分割仿真时耗费的计算时间较长,将会延长电路设计时间,增加设计成本。第二种方法是在分析耦合TGV互连传输特性时,首先采用解析方程提取TGV的电阻、电容与电感等寄生电学参数,之后构建耦合TGV结构的等效电学模型,采用电路仿真软件HSPICE仿真分析耦合TGV互连传输特性。该方法虽然可简化TGV电学参数提取过程,但存在的不足是,仍借助于仿真软件分析互连传输特性,计算方法较为复杂、繁琐,执行效率较低。

En-Xiao Liu,Er-Ping Li,Wei-Bin Ewe,Teck Guan Lim,Shan Gao.Compactwideband equivalent circuit model for electrical modeling of through siliconvia.IEEE Transaction on Microwave Theory and Techniques,vol.59,no.6,June2011,该篇论文将信号-地通孔结构等效为分布传输线模型,最终得到了一种预测信号-地通孔结构互连传输特性的解析模型。

Xiao-Xian Liu,Zhang-Ming Zhu,Yin-Tang Yang.Low loss air cavitythrough silicon vias(TGVs)for high speed three dimensional integratedcircuits(3-D ICs).IEEE Microwave and Wireless Components Letters,vol.26,no.2,Feb.2016,该篇论文提取基于气腔隔离的地-信号-地通孔结构的等效电学模型,并采用电路仿真软件ADS仿真信号通孔传输特性。

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