[发明专利]一种嵌入式埋容材料及其制备方法

权利要求书

1.一种嵌入式埋容材料，其特征在于：包括无机纳米粉体、聚酰亚胺合成原料、导电电极；

所述无机纳米粉体的含量为0-40％，平均粒径为30-150nm；

所述聚酰亚胺合成原料包括3，3’，4，4’-二苯甲酮四甲酸二酐、4，4’-二氨基二苯醚，溶剂为N-甲基吡咯烷酮，分散剂采用进口BYK-W9010；

所述导电电极为金属导电浆料。

2.根据权利要求1所述的一种嵌入式埋容材料，其特征在于：所述无机纳米粉体为无机非金属纳米材料。

3.根据权利要求1所述的一种嵌入式埋容材料，其特征在于：所述金属导电浆料为银浆或铜浆。

4.根据权利要求1-3其中任意一项所述的一种嵌入式埋容材料，其特征在于：所述无机纳米粉体为BaTiO₃纳米粉体、Al₂O₃纳米粉体、TiO₂纳米粉体、SiO₂纳米粉体、Ba_1-xSr_xTiO₃纳米粉体、Ba(Zr_xTi_1-x)O₃纳米粉体。

5.一种嵌入式埋容材料的制备方法，其特征在于：首先采用3，3’，4，4’-二苯甲酮四甲酸二酐、4，4’-二氨基二苯醚，溶剂为N-甲基吡咯烷酮，分散剂采用进口BYK-W9010、无机纳米粉体为原料；

步骤一：制备聚酰胺酸溶液，首先将4，4’-二氨基二苯醚放入N-甲基吡咯烷酮中磁力搅拌直至完全溶解，获得二元胺；然后将3，3’，4，4’-二苯甲酮四甲酸二酐放入N-甲基吡咯烷酮中磁力搅拌直至完全溶解，获得二元酐；最后将上述二元胺与二酐倒入反应釜中，室温下N₂条件下反应24-48小时，获得聚酰胺酸溶液；

步骤二：将无机纳米粉体放入BYK-W9010进行高能球磨0.5-2小时，转数在2500转/min；

步骤三：将步骤二制得的混合料液缓慢倒入步骤一中制得的聚酰胺酸溶液中，进行磁力搅拌1-3小时，然后超声波15-30min，再进行真空除泡10-15min，得到聚酰胺酸纳米粉体混合溶液；

步骤四：采用流延法方式进行流延膜片的制备，采用梯度升温温度制度进行膜片的亚胺化，然后在干燥后的膜片上进行丝网印刷导电层银浆，并低温下进行烘干工艺，最终制得嵌入式埋容材料。

6.根据权利要求4所述的一种嵌入式埋容材料的制备方法，其特征在于：所述无机纳米粉体为BaTiO₃纳米粉体，其中BaTiO₃纳米粉体为90g，BYK-W9010为200ml。

7.根据权利要求4所述的一种嵌入式埋容材料的制备方法，其特征在于：所述无机纳米粉体为Al₂O₃纳米粉体，其中Al₂O₃纳米粉体为80g，BYK-W9010为200ml。

8.根据权利要求4所述的一种嵌入式埋容材料的制备方法，其特征在于：所述无机纳米粉体为BaTiO₃纳米粉体，其中BaTiO₃纳米粉体为365g，BYK-W9010为730ml。

9.根据权利要求5-8其中任意一项所述的一种嵌入式埋容材料的制备方法，其特征在于：在步骤一中4，4’-二氨基二苯醚为350g，3，3’，4，4’-二苯甲酮四甲酸二酐为550g，N-甲基吡咯烷酮为2400ml。