[发明专利]无酶过氧化氢传感器及其制备方法有效
申请号: | 201611120815.9 | 申请日: | 2016-12-08 |
公开(公告)号: | CN106770549B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 张敏;程发良;柳鹏;谢世磊;王寿山 | 申请(专利权)人: | 东莞理工学院 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 连平 |
地址: | 523808 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 过氧化氢传感器 氰化 修饰电极 制备 检测 复合纳米材料 工作电极表面 电化学测定 电化学领域 过氧化氢的 三电极体系 硝酸银溶液 循环伏安法 过氧化氢 置换反应 准确度 灵敏度 电沉积 重现性 专一性 浸泡 响应 | ||
1.无酶过氧化氢传感器的制备方法,其特征在于:包括以下步骤,①使用三电极体系,通过循环伏安法将铁氰化钐电沉积在工作电极表面,得到铁氰化钐修饰电极;②将铁氰化钐修饰电极浸泡到硝酸银溶液中,通过置换反应获得银/铁氰化钐复合纳米材料修饰电极,即无酶过氧化氢传感器。
2.根据权利要求1所述的无酶过氧化氢传感器的制备方法,其特征在于:步骤①中,三电极体系为,玻碳电极为工作电极,甘汞电极为参比电极,铂电极为辅助电极,电沉积时电解质溶液的组成为0.2mol/L KCl、5mmol/L SmCl3、5mmol/L铁氰化钾。
3.根据权利要求2所述的无酶过氧化氢传感器的制备方法,其特征在于:步骤①中,电沉积时电位为-0.2V~0.8V,扫描速率为30mV/s~70mV/s,扫描圈数为15圈~25圈。
4.根据权利要求1所述的无酶过氧化氢传感器的制备方法,其特征在于:步骤②中,硝酸银溶液浓度为0.005mol/L~0.015mol/L,置换反应时间为3h~5h。
5.无酶过氧化氢传感器,是采用权利要求1~4中任一项所述的制备方法得到的。
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