[发明专利]低温多晶硅膜制备方法、薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201611120989.5 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN106783875B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 陈卓;马春华;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 制备 方法 薄膜晶体管 及其 | ||
1.一种低温多晶硅膜的制备方法，其特征在于，包括：
在玻璃基板的预定区域内形成导热层；
在所述导热层及所述玻璃基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成非晶硅层；
采用准分子激光退火工艺对所述非晶硅层进行激光晶化，并对所述导热层进行加热，将所述非晶硅层转化为低温多晶硅膜；
其中，所述导热层的热量通过所述缓冲层向所述非晶硅层传导，使得所述非晶硅层中被所述导热层覆盖的区域温度升高。
2.根据权利要求1所述的低温多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述预定区域在垂直于所述玻璃基板的方向上对齐于源极掺杂区或者所述源极掺杂区和与所述源极掺杂区相邻的部分沟道区。
3.根据权利要求1所述的低温多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述预定区域在垂直于所述玻璃基板的方向上对齐于漏极掺杂区或者所述漏极掺杂区和与所述漏极掺杂区相邻的部分沟道区。
4.根据权利要求1所述的低温多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述在玻璃基板的预定区域内形成导热层的步骤包括：
在玻璃基板上沉积金属层；
通过黄光制程、蚀刻制程对所述金属层进行图案化处理，在所述预定区域内形成导热层。
5.根据权利要求4所述的低温多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述金属层的材质为导磁性金属。
6.根据权利要求1所述的低温多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述导热层的厚度为50nm～200nm。
7.根据权利要求1所述的低温多晶硅膜的制备方法，其特征在于，采用电磁加热方式对所述导热层进行加热。
8.根据权利要求7所述的低温多晶硅膜的制备方法，其特征在于，所述采用电磁加热方式对所述导热层进行加热的加热温度为100℃～300℃。
9.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如权利要求1至8中任意一项所述低温多晶硅膜的制备方法，并且，将所述非晶硅层转化为低温多晶硅膜之后，还包括如下步骤：
对所述低温多晶硅膜进行图案化处理，形成多晶硅半导体层；
在所述多晶硅半导体层上依次形成栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源/漏极，所述源/漏极与所述多晶硅半导体层电连接。
10.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括玻璃基板、导热层、缓冲层、多晶硅半导体层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极以及漏极，所述薄膜晶体管采用如权利要求9所述的制备方法制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
