[发明专利]半导体装置和制作半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板，所述基板包括位于GaN层上的AlGaN层，用于在所述AlGaN层与所述GaN层之间的界面处形成二维电子气体；

位于所述基板的主表面上的多个电接点；以及

位于所述基板的所述主表面上的多个钝化层，所述多个钝化层包括：第一钝化层，其包括接触所述主表面的第一区域的第一钝化材料；以及第二钝化层，其包括接触所述主表面的第二区域的第二钝化材料，其中所述第一和第二钝化材料为不同钝化材料。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一区域邻近于所述主表面上的所述电接点中的第一电接点，且其中所述第二区域不邻近于所述主表面上的所述电接点中的所述第一电接点。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一区域大体上环绕所述主表面上的所述电接点中的所述第一电接点。

4.根据权利要求2或权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第一钝化层相对于所述电接点中的所述第一电接点不对称地布置，从而包括位于所述第一电接点的一侧上的延伸，其中所述延伸延伸朝向所述装置的另一电接点。

5.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述第一区域包括位于所述装置的所述电接点中的两个电接点之间的一个或多个岛状物。

6.根据在前的任一项权利要求所述的半导体装置，其特征在于，所述不同钝化材料包括氮化硅的组合物，所述组合物包括不同比例的硅。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述钝化材料中的一个钝化材料包括化学计量氮化硅，且其中所述钝化材料中的另一钝化材料包括比化学计量氮化硅更富含硅的氮化硅的组合物。

8.一种制作半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基板，所述基板包括位于GaN层上的AlGaN层，用于在所述AlGaN层与所述GaN层之间的界面处形成二维电子气体；

形成位于所述基板的主表面上的多个电接点；以及

形成位于所述基板的所述主表面上的多个钝化层，所述多个钝化层包括：第一钝化层，其包括接触所述主表面的第一区域的第一钝化材料；以及第二钝化层，其包括接触所述主表面的第二区域的第二钝化材料，其中所述第一和第二钝化材料为不同钝化材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述不同钝化材料包括氮化硅的组合物，所述组合物包括不同比例的硅。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述钝化材料中的一个钝化材料包括化学计量氮化硅，且其中所述钝化材料中的另一钝化材料包括比化学计量氮化硅更富含硅的氮化硅的组合物。