[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201611122368.0 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106952811B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 亀山悟;味冈正树;大木周平 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;邓玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法的特征在于包括：
作为半导体区域形成工序，形成半导体区域，以使得有不同离子注入量的多个半导体区域暴露在半导体基板的一个主表面上；
作为清洗工序，在所述半导体区域形成工序之后，使用氢氟酸在所述半导体基板的所述一个主表面上进行清洗；
作为表面粗糙度均匀化工序，在所述清洗工序之后，使所述半导体基板的所述一个主表面的表面粗糙度均匀化；以及
作为电极形成工序，在所述表面粗糙度均匀化工序之后，直接在所述半导体基板的所述一个主表面上形成电极，
在所述表面粗糙度均匀化工序中，通过使用氨和过氧化氢溶液的混合物的清洗来清洗所述半导体基板的所述一个主表面。
2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于
在所述电极形成工序中，使用溅射法来形成所述电极。
3.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于
在所述电极形成工序中，使用蒸镀法来形成所述电极。
4.根据权利要求2所述的制造半导体装置的方法，其特征在于
在所述电极形成工序中，在加热所述半导体基板的同时，使用所述溅射法来形成所述电极。
5.根据权利要求4所述的制造半导体装置的方法，其特征在于
在所述电极形成工序中，在将所述半导体基板加热至50℃以上450℃以下的同时，使用所述溅射法来形成所述电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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