[发明专利]基于场效应管的两线制内置电荷放大电路

权利要求书

1.基于场效应管的两线制内置电荷放大电路，其特征在于，包括电容(C0)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、场效应管(N-JFET)、PNP晶体管(T1)、NPN晶体管(T2)；

压电组件电荷信号输入端与电容(C0)、第一电阻(R1)及场效应管(N-JFET)栅源极并联，电容(C0)实现低通滤波，滤去高频噪声，第一电阻(R1)上的电压通过场效应管(N-JFET)实现小信号压控电流变化，同时实现阻抗变换，第二电阻(R2)串接在场效应管(N-JFET)的源极，调整场效应管的静态工作点，第三电阻(R3)、第四电阻(R4)跨接于电源及地，两者连接点与场效应管(N-JFET)的漏极及PNP晶体管(T1)的发射极相连，用于实现电路偏置电压调节与输出，PNP晶体管(T1)基、射极连接场效应管(N-JFET)的源、漏极，起着电流跟随作用，还起着对小信号进行一定的电压放大作用，放大能力由PNP晶体管(T1)的等效输出和输入负载比决定；PNP晶体管(T1)集电极与第五电阻(R5)构成NPN晶体管(T2)的基、射极输入，第五电阻(R5)能够起到电压放大能力调节作用；NPN晶体管(T2)的集电极连接电源，放大交流信号，提高输出驱动能力并实现信号与电源共线传输；

通过场效应管(N-JFET)实现电荷至电压信号的阻抗变换，PNP晶体管(T1)、NPN晶体管(T2)及第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)实现小信号的放大、驱动及与直流偏置电压的两线传输；除表贴场效应管(N-JFET)、PNP晶体管(T1)、NPN晶体管(T2)器件、电容(C0)及第一电阻(R1)外，第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)在厚膜电路上烧结电阻浆料实现整个电路板的小型化。