[发明专利]一种具有高线性度的GaN鳍式高电子迁移率晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201611122851.9 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106684141A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张凯;孔月婵;周建军;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人： | 吴树山 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 线性 gan 鳍式高 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611122851.9/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
