[发明专利]用于形成半导体器件的方法

说明书

用于形成半导体器件的方法包括形成非晶或多晶半导体层，该非晶或多晶半导体层与位于半导体衬底中的具有第一导电类型的至少一个半导体掺杂区域相邻。该方法还包括在形成非晶或多晶半导体层期间或之后将掺杂物结合到该非晶或多晶半导体层中。该方法还包括退火非晶或多晶半导体层，以将非晶或多晶半导体层的至少一部分转换为基本单晶半导体层并且在该单晶半导体层中形成具有第二导电类型的至少一个掺杂区域，使得pn结形成在具有第一导电类型的至少一个半导体掺杂区域与具有第二导电类型的至少一个掺杂区域之间。

技术领域

实施例涉及用于形成半导体器件结构的概念，并且具体地涉及用于形成半导体器件的方法。

背景技术

利用普通的半导体工艺，不能够生成尖锐的轮廓(例如，pn结)，尤其在较大深度处。类似的情况还可以应用于制造外延层。由于后续工艺的高温度预算(尤其是由于在部件的制造工艺开始处执行外延工艺)，外延层的掺杂会经历较强的向外扩散。

发明内容

一些实施例涉及用于形成半导体器件的方法。该方法包括形成与位于半导体衬底中的具有第一导电类型的至少一个半导体掺杂区域相邻的非晶或多晶半导体层。该方法还包括：在形成非晶或多晶半导体层期间或之后，将掺杂物结合到非晶或多晶半导体层中。该方法还包括：退火非晶或多晶半导体层以将非晶或多晶半导体层的至少一部分转换为基本为单晶的半导体层，并且在单晶半导体层中形成具有第二导电类型的至少一个掺杂区域，使得pn结形成在具有第一导电类型的至少一个半导体掺杂区域与具有第二导电类型的至少一个掺杂区域之间。

附图说明

以下将仅通过示例参照附图来描述装置和/或方法的一些实施例，其中：

图1示出了用于形成半导体器件的方法的流程图；

图2A至图2F示出了用于形成半导体器件的方法的示意图；

图3示出了基于激光热退火工艺参数在pn结处的掺杂浓度(掺杂物/cm³)对深度(μm)的示图；

图4A示出了包括隧穿注射绝缘栅型双极晶体管结构的半导体器件的示意图；

图4B示出了隧穿注射绝缘栅型双极晶体管结构的集电极电流Ic(安培)对集电极-发射极电压Vce(伏特)的示图；

图4C示出了隧穿注射绝缘栅型双极晶体管结构的掺杂浓度(掺杂物/cm³)对距离(μm)的示图；

图5A示出了包括背侧空穴的控制注射(CIBH)结构的半导体器件的示图；以及

图5B示出了背侧空穴的控制注射(CIBH)结构的一部分的掺杂浓度(掺杂物/cm³)对距离(μm)的示图。

具体实施方式

现在将参照示出一些示例性实施例的附图更完整地描述各个示例性实施例。在附图中，为了清楚可以放大线、层和/或区域的厚度。

因此，虽然示例性实施例能够实现各种修改和可选形式，但其实施例通过附图中的示例来示出并且详细进行描述。然而，应该理解，不用于将示例性实施例限制为所公开的具体形式，但是相反，示例性实施例覆盖落入本公开范围内的所有修改、等效或替换。类似的符号在附图的描述中表示相似的元件。

应该理解，当元件表示为“连接”或“耦合”至另一元件，其可以直接连接或耦合至另一元件或者可以存在中间元件。相反，当元件表示为“直接连接”或“直接耦合”至另一元件，则不存在中间元件。用于描述元件之间的关系的其他词语应该以类似方式解释(例如，“位于…之间”相对于“直接位于…之间”，“相邻”相对于“直接相邻”等)。