[发明专利]一种大尺寸的CdS单晶片的减薄工艺

权利要求书

1.一种大尺寸的CdS单晶片的减薄工艺，其特征在于：步骤如下，

将陶瓷盘（3）加热到80度，均匀涂上白蜡，将三片2英寸CdS切割单晶片（1）均匀粘贴在陶瓷盘（3）上，冷却至室温，将陶瓷盘（3）表面残余的蜡清洗干净，使用测厚仪，记录晶片的厚度，打开横向减薄机，把贴好CdS单晶片（1）的陶瓷盘（3）真空吸附在工件台上；

第一步，先使用1200#树脂金刚石砂轮，将砂轮最外缘调整到过陶瓷盘（3）的中心2-5mm，设置工艺参数，工件转速250-300r/min、转速方向为顺时针，砂轮转速500-600r/min、转速方向逆时针，进给速度5μm/min，冷却液流量500ml/min，去除量300μm；

首先打开冷却液，冷却液循环使用，冷却液为纯水，启动砂轮，再启动工件，当工件到达结束位置时，砂轮和工件的转速均保持不变，空转时间为30s，对表面进行磨削修复，这样有利于减少晶片表面的损伤，提高表面质量，工艺结束后，排放冷却液，将冷却液槽清洗干净，并换上新的冷却液，加工时间60min；

第二步，再使用5000#树脂金刚石砂轮，将砂轮最外缘调整到过陶瓷盘（3）的中心2-5mm，设置工艺参数，工件转速400-500r/min、转速方向为顺时针，砂轮转速800-1000r/min、转速方向为逆时针，进给速度1μm/min，冷却液流量800ml/min，去除量40μm；

首先打开冷却液，冷却液循环使用，冷却液为纯水，启动砂轮，再启动工件，当工件到达结束位置时，砂轮和工件的转速均保持不变，空转时间为30s，工艺结束后将冷却液排放，冷却液槽清洗干净，加工时间40min；

第三步，使用8000#的树脂氧化铈砂轮，将砂轮的最外缘调整到过陶瓷盘（3）的中心2-5mm，设置工艺参数，工件转速600-700r/min、转速方向为顺时针，砂轮转速1200r/min、转速方向为逆时针，进给速度0.5μm/min，冷却液流量1000ml/min，去除量10μm，首先打开冷却液，冷却液为纯水和次氯酸钠，纯水︰次氯酸钠的体积比为25︰1，共配置25L，不循环使用，直接排放，启动砂轮，再启动工件，当工件到达结束位置时，砂轮和工件转速保持不变，空转时间60s，工艺结束后将陶瓷盘（3）取下来，进行清洗，减薄工艺完成，最终测量，晶片的Ra≤1nm，TTV≤2μm，加工时间20min。