[发明专利]调节接口层形成两端存储器

说明书

本发明涉及调节接口层形成双端存储器。本发明提供了一种双端存储器器件的制造，构造和/或组装。双端存储器器件可以包括具有含硅层，界面层和活性金属层的有源区。界面层可以在含硅层上生长，并且界面层的生长可以用一氧化二氮等离子体来调节。

相关申请案的交互参考

本申请主张与2015年12月8日提交的题为“REGULATING INTERFACE LAYERFORMATION FOR TWO-TERMINAL MEMORY”的美国临时专利申请No.62/264,779的优先权的美国非临时专利申请，其申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明一般涉及半导体制造，更具体地，涉及通过引入含氮气体来控制用于双端存储单元的电阻开关层制造(例如生长或沉积)。

背景技术

电阻开关存储器代表集成电路技术领域中的最近创新。尽管大多数阻变存储器技术处于开发阶段，但是本发明人已经证明了用于阻变存储器的各种技术概念，并且它们处于一个或多个验证阶段以证明或反驳相关的理论或技术。本发明人相信阻变存储器技术显示出令人信服的证据，相比于半导体电子工业中的竞争技术具有显着的优点。

发明人相信，阻变存储器单元可以被配置为具有不同电阻值的多个状态。例如，对于单个位单元，可以将重置开关存储器单元配置为以相对低的电阻状态或者以相对高的电阻状态存在。多位单元可具有额外状态，其具有彼此不同的且与相对低电阻状态和相对高电阻状态不同的相应电阻。阻变存储器单元的不同电阻状态表示不同的逻辑信息状态，便于数字存储器操作。因此，本发明人相信许多这样的存储器单元的阵列可以提供许多位的数字存储器存储。

发明人已成功地诱导阻变存储器进入一个或另一个电阻状态以回应外部条件。因此，就晶体管的说法，施加或移除外部条件可用于对存储器编程或解除编程(例如，擦除)。此外，取决于物理化学和电布置，阻变存储器单元通常可维持编程或解除编程状态。取决于存储器单元装置的特性，维持状态可能需要满足其它条件(例如，存在最小工作电压，存在最小工作温度等)或不满足条件。

发明人提出了用于实际利用电阻转换技术以包括基于晶体管的存储器应用的几种提议。例如，电阻开关元件通常被理论化为至少部分地用于数字信息的电子存储的金属氧化物半导体(MOS)型存储晶体管的可行替代。与非易失性FLASH MOS型晶体管相比，阻变存储器件的模型提供了一些潜在的技术优势。

鉴于上述，本发明人希望继续开发电阻开关技术的实际利用。

发明内容

下面给出了本说明书的简要概述，以便提供对本说明书一些方面的基本理解。该概述不是本说明书的广泛概述。其旨既不在标识说明书的关键或重要元件，亦不在描绘说明书的任何特定实施例或权利要求的任何范围。其目的是以简化形式呈现本说明书的一些概念，作为本发明中呈现更详细描述的序言。

本文公开的系统涉及控制或调节具有含氮(例如来自NH₃)等离子体的双端存储器单元的界面层(例如，电阻开关材料层)的形成(例如生长/沉积)。例如，存储器制造部件可以促进具有有源区的双端存储器单元的制造，该有源区包括：第一电极(例如金属，多晶硅)，接触或导电材料(例如导电的含金属或含硅的)层，位于接触或导电材料层(例如含导电金属或含硅层)顶上的界面层(例如电阻开关材料层)，位于界面层顶部的活性金属层，以及第二电极(例如金属，多晶硅)。存储器制造部件可以包括形成部件，其可以被配置为促进与以电阻开关材料的形成(例如生长或沉积)为特征的形成周期引入含氮(例如NH₃)等离子体材料层)。