[发明专利]纳米线的低维化方法

权利要求书

1.纳米线的低维化方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)将纳米线分散在溶剂中，在20-300℃下进行搅拌处理；

(2)将步骤(1)中所得样品进行超声处理，即可实现纳米线的低维化，获得纳米粒子。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述纳米线的直径为10-1000纳米。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述纳米线的直径为50-500纳米。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述纳米线的长度为1-100微米。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述纳米线的长度为1-10微米。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述纳米线为金属纳米线、半导体纳米线或聚合物纳米线中的任意一种。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述金属纳米线为Au、Ag、Cu、Al、Pt、Pd、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Ge、Sn、Pb、Sb或Bi中的任意一种或两种及以上的组合。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述金属纳米线为Au、Ag、Cu、Pt、Fe、Co或Ni中的任意一种或两种及以上的组合。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述半导体纳米线为Si、Ge、GaN、GaAs、GaP、InP、InAs、ZnS、ZnSe、CdS、CdSe、ZnO、TiO₂、MgO、CdO、SiO₂或Si₃N₄中的任意一种。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述半导体纳米线为Si、Ge、GaN、InP、ZnS、CdS、ZnO、TiO₂、CdO、SiO₂或Si₃N₄中的任意一种。

11.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述聚合物纳米线为聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩中的任意一种。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述溶剂为N-甲基吡咯烷酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮、N-辛基吡咯烷酮、N-十二烷基吡咯烷酮、甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、甲醇、乙醇、氨水或水中的任意一种或两种及以上的组合。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)在80-200℃下进行搅拌处理。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述搅拌的时间为0-48h。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述搅拌的时间为0-12h。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述超声处理为使用探头型超声仪或水浴型超声仪进行处理。

17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述超声处理的功率为50-1000W。

18.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述超声处理的功率为100-500W。

19.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述超声处理的时间为0.5-120h。