[发明专利]一种半导体集成OLED显示器及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体集成OLED显示器，包括衬底基板，所述衬底基板上具有CMOS驱动电路，所述衬底基板上依次形成有像素阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层、色彩过滤层和保护盖，其特征在于，所述发光层包括红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层，所述蓝光发光层包括至少两层发光层，所述红光发光层和绿光发光层串联后与蓝光发光层并列连接；所述色彩过滤层包括红光过滤层和绿光过滤层，所述蓝光发光层的电流被有效降低。

2.根据权利要求1所述的半导体集成OLED显示器，其特征在于，在所述发光层中，所述蓝光发光层占发光层总长度的1/3。

3.根据权利要求1所述的半导体集成OLED显示器，其特征在于，在所述发光层中，所述蓝光发光层的厚度与红光发光层、绿光发光层的总厚度相等。

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体集成OLED显示器，其特征在于，所述色彩过滤层对应蓝光发光层的位置采用透明材料制成。

5.根据权利要求1-3任一项所述的半导体集成OLED显示器，其特征在于，所述色彩过滤层对应蓝光发光层的位置开设有通孔。

6.根据权利要求1所述的半导体集成OLED显示器，其特征在于，所述红光过滤层和绿光过滤层分别采用红光像素和绿光像素的感光材料。

7.根据权利要求1所述的半导体集成OLED显示器，其特征在于，所述衬底基板为含CMOS驱动电路的硅基衬底基板。

8.根据权利要求1所述的半导体集成OLED显示器，其特征在于，所述保护盖采用透明玻璃制成。

9.一种制造半导体集成OLED显示器的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底基板，对该衬底基板进行包括清洗、干燥的预处理；

在衬底基板上涂抹反光阻，所述反光阻的涂抹厚度为0.08-1.121um，在已涂抹反光阻的衬底基板上涂抹正光阻，所述正光阻的涂抹厚度为1.0-1.5um,均匀度不小于0.5%；

将已涂抹反光阻和正光阻的衬底基板置于曝光机内进行曝光处理，曝光强度为300mj/cm²；

将曝光后的衬底基板置于显影液中进行显影处理，显影处理时间为2min，显影处理完成对该衬底基板进行水洗；

将水洗后的衬底基板置于烤箱内进行脱水处理，脱水处理的温度为900-1100℃，脱水处理的时间为25-35min；

将脱水处理后的衬底基板置于等离子清洗机内进行等离子清洗处理，清洗处理的温度为110-130℃，清洗处理的时间为1-2min；

在衬底基板上定义阳极区，将铬或铝或钼镀膜于阳极区，形成阳极层；

在已镀膜的衬底基板上蒸镀隔离层；

在制作上隔离层的衬底基板上逐层蒸镀有机功能材料，并依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层电子注入层和阴极层；所述发光层包括红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层，所述蓝光发光层包括至少两层发光层，所述红光发光层和绿光发光层串联后与蓝光发光层并列连接，所述蓝光发光层占发光层总长度的1/3；

将包括红光像素和绿光像素的色彩感光材料贴合在已蒸镀有机功能材料的衬底基板上，形成色彩过滤层；所述红光感光材料对应红光像素电极位置，所述绿光感光材料对应绿光像素电极位置，蓝光发光层对应色彩过滤层的位置为透明材料或通孔；

将保护片贴合到包含色彩过滤层的衬底基板上，形成保护盖。