[发明专利]电容结构

权利要求书

1.一种电容结构，其特征在于，包括：

一正极；

一介电层，位于该正极上；

一有机-无机复合物层，位于该介电层上，其中该有机-无机复合物层是由绝缘高分子与无机物混合而成；

一负极；以及

一导电性共轭高分子电解质，位于该有机-无机复合物层与该负极之间。

2.如权利要求1所述的电容结构，其中该正极包括铝、钽、铌、钛、锆、或上述的合金。

3.如权利要求2所述的电容结构，其中该介电层包括该正极金属元素对应的氧化物。

4.如权利要求1所述的电容结构，其中该有机-无机复合物层包括1重量份的绝缘高分子与100至0.01重量份的无机物。

5.如权利要求4所述的电容结构，其中该绝缘高分子包括含氮高分子、含氧高分子、或上述的混掺物。

6.如权利要求5所述的电容结构，其中该含氮高分子包括聚乙烯吡咯烷酮。

7.如权利要求5所述的电容结构，其中该含氧高分子包括聚氧化乙烯。

8.如权利要求4所述的电容结构，其中该无机物包括氧化铝、氧化锌、硼酸与氧化锌的组合、或硼酸与氢氧化铝的组合。

9.如权利要求1所述的电容结构，其中该负极包括金属箔片。

10.如权利要求1所述的电容结构，其中该导电性共轭高分子电解质包含掺杂的聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)。