[发明专利]主动开关阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种主动开关阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上镀覆第一金属层；

对所述第一金属层进行第一次光刻处理，以形成栅极；

于所述基板、所述栅极上沉积非晶硅层；

在所述非晶硅层上镀覆形成第二金属层；

对所述第二金属层进行第二次光刻处理，以形成图案化第二金属层；

于所述图案化第二金属层上涂覆钝化层；

对所述钝化层进行第三次光刻处理，以形成通孔于所述钝化层上；

于所述钝化层上镀覆透光导电层，其中所述透光导电层穿过所述通孔与所述图案化第二金属层接触；

对所述透光导电层、所述钝化层、及所述图案化第二金属层进行第四次光刻处理，于所述透光导电层、所述钝化层、及所述图案化第二金属层上形成通道、源极及漏极，所述源极和所述漏极分别位于所述通道的两侧。

2.如权利要求1所述的主动开关阵列基板的制备方法，其特征在于，形成通道包括以下步骤：

于所述透光导电层上涂覆光阻膜；

提供二元掩模；采用所述二元掩模遮蔽所述光阻膜；

紫外光穿过所述二元掩模 后，照射第一部分的光阻膜；第一部分的光阻膜被去除，第二部分的光阻膜未被去除；

去除未被第二部分的光阻膜覆盖的透光导电层、钝化层、及图案化第二金属层，形成所述通道。

3.如权利要求1所述的主动开关阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通道的宽度为2～5微米。

4.如权利要求1所述的主动开关阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述基板上镀覆第一金属层包括：在基板表面镀覆第一复合金属层，所述第一金属复合层为钼-铝金属复合层、钼-铝合金复合层、钛-铝金属复合层、或铜-钼金属复合层。

5.如权利要求4所述的主动开关阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述非晶硅层上镀覆形成第二金属层包括：在非晶硅层表面镀覆第二金属复合层，所述第二金属复合层为钼-铝-钼金属复合层、钛-铝-钛金属复合层、或铜-钼金属复合层。

6.如权利要求1所述的主动开关阵列基板的制备方法，其特征在于，所述透光导电层为半透明或透明的导电金属层。

7.一种主动开关阵列基板，包括基板、设于所述基板的栅极和栅线、设于所述基板和所述栅极及所述栅线表面的非晶硅层，其特征在于，所述主动开关阵列基板还包括设于所述非晶硅层表面的图案化第二金属层、形成于所述图案化第二金属层及所述非晶硅层表面的钝化层、及形成于所述钝化层之上的像素电极，所述钝化层开设有通孔，所述像素电极穿过所述通孔与所述图案化第二金属层接触，所述图案化第二金属层、所述钝化层及所述像素电极通过光刻处理共同形成有通道，所述通道将所述图案化第二金属层分隔为源极和漏极。

8.如权利要求7所述的主动开关阵列基板，其特征在于，所述通道的宽度为2～5微米。

9.如权利要求7所述的主动开关阵列基板，其特征在于，所述栅极和所述栅线均为第一金属复合层，所述第一金属复合层为钼-铝金属复合层、钼-铝合金复合层、钛-铝金属复合层、或铜-钼金属复合层。

10.如权利要求9所述的主动开关阵列基板，其特征在于，所述金属层为第二金属复合层，所述第二金属复合层为钼-铝-钼金属复合层、钛-铝-钛金属复合层、或铜-钼金属复合层。