[发明专利]光调制的二极管和功率电路有效
| 申请号： | 201611128685.3 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106711233B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 王敬;陈文捷;梁仁荣 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调制 二极管 功率 电路 | ||
1.一种光调制的二极管，其特征在于，包括：
第一半导体层；
形成在所述第一半导体层之上的第一金属层；
形成在所述第一半导体层之上的发光结构，其中，所述发光结构用于产生用于激发所述第一半导体层中电子-空穴对的光线；
同步结构，用于控制所述光调制的二极管和所述发光结构同步开启；
形成在所述第一半导体层之下的第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层具有相反的导电类型；
形成在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层，所述第三半导体层为本征半导体；
形成在所述第一半导体层之中且在所述发光结构之下的重掺杂区；
所述第一半导体层的上表面开有凹槽，所述发光结构形成在所述凹槽中，所述发光结构的侧壁与所述凹槽之间设置有绝缘介质层。
2.如权利要求1所述的光调制的二极管，其特征在于，所述第一半导体层包括具有直接带隙结构的半导体材料。
3.如权利要求2所述的光调制的二极管，其特征在于，所述半导体材料包括氮化物半导体材料、砷化物半导体材料、氧化物半导体材料或锑化物半导体材料。
4.如权利要求1所述的光调制的二极管，其特征在于，所述发光结构为发光二极管结构。
5.如权利要求4所述的光调制的二极管，其特征在于，所述发光二极管结构包括发光层，所述发光层为量子阱。
6.如权利要求5所述的光调制的二极管，其特征在于，所述发光层材料与所述第一半导体层的材料属于同一系列。
7.如权利要求5所述的光调制的二极管，其特征在于，所述发光层的禁带宽度不小于所述第一半导体层的禁带宽度。
8.一种功率电路，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述的光调制的二极管。
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