[发明专利]光调制的场效应晶体管和集成电路

权利要求书

1.一种光调制的场效应晶体管，其特征在于，包括：

半导体层；

源区和漏区，所述源区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上，所述漏区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上；

形成在所述半导体层之上的栅结构；

形成在所述源区和/或漏区之中的发光结构，其中，所述发光结构用于产生光子以激发所述半导体层中的电子-空穴对；

所述发光结构包括第一发光单元，所述源区包括：第一重掺杂层，所述第一重掺杂层的上表面上开有第一凹槽；形成在所述第一重掺杂层之上的第一金属接触层；所述第一发光单元包括：形成在所述第一凹槽之中的第一发光层；形成在所述第一发光层之上的第一电极；其中，所述第一重掺杂层和所述第一发光单元之间设置有第一绝缘层；

所述发光结构包括第二发光单元，所述漏区包括：第四重掺杂层，所述第四重掺杂层的上表面上开有第二凹槽；形成在所述第四重掺杂层之上的第二金属接触层；所述第二发光单元包括：形成在所述第二凹槽之上的第二发光层；形成在所述第二发光层之上的第二电极；其中，所述第四重掺杂层和所述第二发光单元设置有第二绝缘层；

所述发光结构为发光二极管结构，其中，所述发光二极管结构包括发光层，所述发光层为多量子阱结构，所述发光层材料与所述半导体层的材料属于同一系列，所述发光层的禁带宽度不小于所述半导体层的禁带宽度。

2.如权利要求1所述的光调制的场效应晶体管，其特征在于，所述第一金属接触层包括形成在所述第一凹槽之外的第一金属接触单元和形成在所述第一凹槽内的第二金属接触单元；

所述第一发光单元还包括设置在所述第二金属接触单元和所述第一发光层之间的第二重掺杂层，以及设置在所述第一电极和所述第一发光层之间的第三重掺杂层。

3.如权利要求1所述的光调制的场效应晶体管，其特征在于，所述第二金属接触层包括形成在所述第二凹槽之外的第三金属接触单元和形成在所述第二凹槽内的第四金属接触单元；

所述第二发光单元还包括设置在所述第四金属接触单元和所述第二发光层之间的第五重掺杂层，以及设置在所述第二电极和所述第二发光层之间的第六重掺杂层。

4.如权利要求1所述的光调制的场效应晶体管，其特征在于，所述半导体层包括具有直接带隙结构的半导体材料。

5.如权利要求4所述的光调制的场效应晶体管，其特征在于，所述半导体材料包括氮化物半导体材料、砷化物半导体材料、氧化物半导体材料或锑化物半导体材料。

6.如权利要求1所述的光调制的场效应晶体管，其特征在于，还包括：

同步结构，用于控制所述场效应晶体管和所述发光结构同步开启。

7.如权利要求1所述的光调制的场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管包括MESFET、MISFET和JFET。

8.一种集成电路，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述的光调制的场效应晶体管。