[发明专利]一种稳压电路

说明书

本发明实施例公开了一种稳压电路，所述电路包括：电压偏置单元，与快速启动单元和第一级运算放大单元相连，用于在快速启动单元的控制下为所述第一级运算放大单元提供偏置电压；第一级运算放大单元，用于在所述快速启动单元和所述偏置电压的控制下对输出电压与参考电压之间的电压差进行放大，并将结果输出给所述第二级运算放大单元；第二级运算放大单元，与快速启动单元相连，用于在快速启动单元的控制下对第一级运算放大单元的输出电压进行驱动能力放大，并输出与参考电压相同的输出电压；快速启动单元，与上述各单元相连，用于在控制信号的控制下对上述各单元提供快速启动控制信号，实现了提高稳压电路的启动速度的目的。

技术领域

本发明实施例涉及电路技术，尤其涉及一种稳压电路。

背景技术

随着集成电路的规模越来越大，复杂度也越来越高，同时对电路的各种性能要求也越来越高。

例如集成电路中经常用到的低压差稳压电路，参见图1所示的传统的低压差稳压电路的电路结构示意图，电路在不工作的时候控制信号EN为低电平0，参考电压VBG也为低电平，此时第一PMOS管MP1导通，第一NMOS管MN1关闭，电位点VP1与电源VCC相连，因此电位点VP1为高电平，同样的原理，电位点VP2，VP3也都处于高电平，因此第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6以及第八PMOS管MP8均关闭；且由于此时控制信号ENB为高电平，因此第二NMOS管MN2导通，所以电位点VN1与地VSS相连，所以处于低电平，所以第四NMOS管MN4关闭，所以整个稳压电路中没有电流流过；当电路开始工作时，控制信号EN变为高电平的时候，参考电压VBG也为高电平，MN1导通，因此电位点VP1与地VSS直接相连，所以MP2和MP3导通，电位点VN1的电位逐渐升高，MN3和MN4逐渐导通，MN4的导通使得电位点VN2与地VSS相连，所以电位点VP3为低电平(参考电压VBG为高电平使得MN6导通)，因此MP8导通，输出端电压VOUT开始升高，当输出端电压VOUT等于参考电压VBG的时候，电路启动完成，处于稳定工作状态。

由上述启动过程可以看出，传统的低压差稳压电路的启动，需要依次启动MN1、MP3，然后通过MP3对电位点VN1进行充电，然后使得MN4以及MP8导通，存在启动速度较慢的缺陷，需要进行进一步改善。

发明内容

本发明提供一种稳压电路，以提高电路的启动速度。

本发明实施例提供一种稳压电路，所述电路包括：

电压偏置单元，与快速启动单元和第一级运算放大单元相连，用于在快速启动单元的控制下为所述第一级运算放大单元提供偏置电压；

第一级运算放大单元，与快速启动单元和第二级运算放大单元相连，用于在所述快速启动单元和所述偏置电压的控制下对输出电压与参考电压之间的电压差进行放大，并将结果输出给所述第二级运算放大单元；

第二级运算放大单元，与快速启动单元相连，用于在快速启动单元的控制下对第一级运算放大单元的输出电压进行驱动能力放大，并输出与参考电压相同的输出电压；

快速启动单元，与上述各单元相连，用于在控制信号的控制下对上述各单元提供快速启动控制信号；

弥勒补偿单元，分别与所述第一级运算放大单元和所述第二级运算放大单元相连，用于减慢输出电压的瞬态响应。

优选的，电压偏置单元包括：第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第三NMOS管，其中：

所述第二PMOS管的源极与电源相连，栅极以及漏极与所述第一NMOS管的漏极相连；所述第三PMOS管的源极与电源相连，栅极与所述第二PMOS管的栅极相连，漏极与所述第三NMOS管的漏极相连；所述第一NMOS管的栅极与参考电压相连，源极与所述第三NMOS管的的源极相连；所述第三NMOS管的漏极与栅极相连。