[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法有效
申请号: | 201611129480.7 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN106449791B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 贾锐;桂羊羊;孙恒超;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 赵青朵 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 砷化镓 太阳电池 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将石墨烯转移至砷化镓外延片表面的窗口层表面,形成石墨烯层;
2)在石墨烯层表面制备重掺杂砷化镓帽子层;
3)在砷化镓外延片衬底表面制备背面电极,在重掺杂砷化镓帽子层表面制备正面电极;
4)采用化学腐蚀法腐蚀正面电极栅线间的重掺杂砷化镓帽子层,露出石墨烯层,在所述露出的石墨烯层表面制备减反层。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述石墨烯层的石墨烯为1~10层。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中,石墨烯层的转移方法为湿法转移法、干法转移法、电化学转移法中的任意一种或几种。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤1)之前还包括,将砷化镓外延片放入化学清洗液中水浴加热进行表面清洗,取出后吹干。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述化学清洗液为丙酮、异丙醇、无水乙醇、盐酸、硫酸、氨水、双氧水和去离子水中的一种或几种。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤4)中,化学腐蚀法的腐蚀液为氨水、双氧水、柠檬酸、柠檬酸钾和磷酸中的一种或几种。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述砷化镓外延片的结构为单结或多结联级结构。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述砷化镓外延片的结构为单结砷化镓/砷化镓、单结砷化镓/锗、双结镓铟磷/砷化镓、双结镓铟磷/镓铟磷、双结铝镓铟磷/砷化镓、双结铝镓铟磷/铟镓磷、三结镓铟磷/砷化镓/锗、三结铝镓铟磷/砷化镓/锗、三结镓铟磷/铟镓砷/锗和三结铝镓铟磷/铟镓砷/锗中的任意一种或多种。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述背面电极为金、锗、镍、银、铝、钯、钛、铬、铜、氧化铟锡和铝掺杂氧化锌中的一种或几种的复合电极;所述正面电极为金、锗、镍、银、铝、钯、钛、铬、铜、氧化铟锡和铝掺杂氧化锌中的一种或几种的复合电极。
10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述减反层为ZnS、Al2O3、MgF2、TiO2、SiO2和Si3N4中的一种或几种材料复合而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的