[发明专利]光子增强的场效应晶体管和集成电路在审
| 申请号： | 201611129636.1 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108615761A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王敬;陈文捷;梁仁荣 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 光子 场效应晶体管 发光结构 隔离槽 漏区 源区 集成电路 空穴 导通电流 关态电流 影响器件 隔离层 栅结构 沟道 光照 外围 激发 | ||
1.一种光子增强的场效应晶体管，其特征在于，包括：
半导体层；
源区和漏区，所述源区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上，所述漏区设置在所述半导体层之中或所述半导体层之上；
形成在所述半导体层之上的栅结构；
形成在所述源区和所述漏区的外围的隔离槽；
形成在至少部分所述隔离槽之中的发光结构，所述发光结构用于产生光子以激发所述半导体层中的电子-空穴对；
形成在所述隔离槽和所述发光结构之间的隔离层。
2.如权利要求1所述的光子增强的场效应晶体管，其特征在于，所述隔离槽包括：
形成在所述隔离槽槽壁的重掺杂层；
形成在所述重掺杂层之上的金属接触层。
3.如权利要求1所述的光子增强的场效应晶体管，其特征在于，所述半导体层包括具有直接带隙结构的半导体材料。
4.如权利要求3所述的光子增强的场效应晶体管，其特征在于，所述半导体材料包括氮化物半导体材料、砷化物半导体材料、氧化物半导体材料或锑化物半导体材料。
5.如权利要求1所述的光子增强的场效应晶体管，其特征在于，所述发光结构为发光二极管结构。
6.如权利要求5所述的光子增强的场效应晶体管，其特征在于，所述发光二极管结构包括发光层，所述发光层为量子阱或多量子阱结构。
7.如权利要求6所述的光子增强的场效应晶体管，其特征在于，所述发光层材料与所述半导体层的材料属于同一系列。
8.如权利要求6所述的光子增强的场效应晶体管，其特征在于，所述发光层的禁带宽度不小于所述半导体层的禁带宽度。
9.如权利要求1所述的光子增强的场效应晶体管，其特征在于，还包括：
同步结构，用于控制所述场效应晶体管和所述发光结构同步开启。
10.如权利要求1所述的光子增强的场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管包括MOSFET、MESFET，MISFET和JFET。
11.如权利要求1所述的光子增强的场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管具有平面结构、双栅结构、FinFET结构或环栅结构。
12.一种集成电路，其特征在于，包括如权利要求1-11中任一项所述的光子增强的场效应晶体管。
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