[发明专利]柔性基板及其制作方法在审
申请号: | 201611131133.8 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN106601771A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 秦芳 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种柔性基板及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管显示器件(Organic Light Emitting Display,OLED)OLED是一种极具发展前景的显示技术,它不仅具有十分优异的显示性能,还具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性,被誉为“梦幻显示器”,得到了各大显示器厂家的青睐,已成为显示技术领域中第三代显示器件的主力军。
柔性的OLED显示器件需要在基板上制作出呈阵列式分布的像素结构,每一像素结构一般包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)、电容等元件。
目前,OLED柔性显示器件一般是基于有机材料基板上制备的,有机材料基板置于承载用的玻璃基板上。有机材料基板与承载用的玻璃基板特性存在差异,且在制作低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)材料的OLED柔性显示器时需经过准分子激光退火(Excimer Laser Annealing,ELA)、氢活化等高温制程,柔性的有机材料基板会产生一定的膜缩,因此需要将各类对位标记(Mark)制作在有机材料基板上,以保证后续制程(如OLED蒸镀对位)的对位精度。但是,有机材料基板在承载用玻璃基板上的覆盖面积越大,在阵列制程中有机材料基板产生的翘曲度越大,生产良率越低,因此,我们需要在保证各类对位Mark制作在有机材料基板上的同时尽可能减小其在承载用玻璃基板上的覆盖面积。
以实际生产中版图设计与设备规格为依据,以距基板边缘最近的系列Mark中的OLED蒸镀对位Mark为例,由于柔性的有机材料基板所使用有机材料的粘度系数较大,柔性的有机材料基板边缘会形成很陡的角度,导致此位置易造成刻蚀残留等现象,且由于现在LTPS材料的OLED柔性显示器件中的柔性有机材料基板多采用有色耐高温有机材料,在蒸镀对位时,对位光源从柔性有机材料基板背面射入,穿过有色的柔性有机材料基板,会造成光的损失,降低对位Mark的光反射率,影响对位成功率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性基板,能够提高对位精度和产品良率,增大光穿透率,提高对位成功率,降低翘曲度,避免边缘出现刻蚀残留。
本发明的另一目的在于提供一种柔性基板的制作方法,由该方法制作的柔性基板对位精度和产品良率较高,光穿透率较大,对位成功率高,翘曲度较低,边缘出现刻蚀残留的现象较少。
为实现上述目的,本发明首先提供一种柔性基板,包括铺设在承载基板上的第一有机材料层、及完全覆盖第一有机材料层的第二有机材料层;第二有机材料层在承载基板上的覆盖面积大于第一有机材料层在承载基板上的覆盖面积,第二有机材料层的长边边缘包围第一有机材料层的长边边缘。
所述第二有机材料层的长边边缘与第一有机材料层相应长边边缘的距离不小于3mm。
所述第二有机材料层于其长边边缘与第一有机材料层的长边边缘之间设置对位标记。
所述承载基板为玻璃基板。
所述第一有机材料层与第二有机材料层的材质均为聚酰亚胺。
本发明还提供一种柔性基板的制作方法,包括如下步骤:
步骤S1、提供承载基板,在所述承载基板上涂布第一有机材料层并固化;
步骤S2、在第一有机材料层与承载基板上涂布第二有机材料层并固化;
第二有机材料层完全覆盖第一有机材料层;第二有机材料层在承载基板上的覆盖面积大于第一有机材料层在承载基板上的覆盖面积,第二有机材料层的长边边缘包围第一有机材料层的长边边缘。
所述柔性基板的制作方法还包括:
步骤S3、在所述第二有机材料层与承载基板上沉积阻隔层;
以及步骤S4、于阵列制程中,在所述第二有机材料层的长边边缘与第一有机材料层的长边边缘之间在第二有机材料层上制作对位标记。
所述第二有机材料层的长边边缘与第一有机材料层相应长边边缘的距离不小于3mm。
所述承载基板为玻璃基板。
所述第一有机材料层与第二有机材料层的材质均为聚酰亚胺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的