[发明专利]一种InSb基高温工作红外探测器材料及其制备方法

权利要求书

1.一种InSb基高温工作红外探测器材料的制备方法，其特征在于，包括：

步骤A：选取势垒层Al组分以及吸收层掺杂浓度；

步骤B：将InSb衬底装入外延生长室MBE，经预除气处理以及去除氧化层处理制备外延级InSb衬底；

步骤C：在所述外延级InSb衬底上生长InSb缓冲层以及InSb下接触层；

步骤D：在所述InSb下接触层上生长InSb吸收层；

步骤E：在所述InSb吸收层上生长InAlSb势垒层；

步骤F：在所述InAlSb势垒层上生长InSb上接触层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

选取所述势垒层的Al组分为10％-30％，n型或p型电极层掺杂浓度为2×10¹⁶-5×10¹⁷cm^-3。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述InSb衬底厚度为490-520μm；

所述去除氧化层的去除温度小于500℃，去除过程中衬底在Sb束流的保护下。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

所述Sb束流大小为10^-6Torr量级。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

InSb缓冲层的厚度为0.5μm，InSb下接触层的生长厚度为0.1-0.5μm，n型掺杂或p型掺杂浓度为2×10¹⁶-5×10¹⁷cm^-3。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述InSb吸收层的生长厚度0.8-1.1μm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述InAlSb势垒层厚度为20-100nm，且所述InAlSb势垒层引入p型或n型掺杂。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：

所述步骤B、步骤C、步骤D、步骤E和步骤F均在真空度大于10^-10Torr量级的分子束外延设备中生长的。

9.一种InSb基高温工作红外探测器材料，其特征在于，所述InSb基高温工作红外探测器材料为采用权利要求1-8中任意一项所述的方法制备得到。