[发明专利]图像传感器、成像系统及电连接系统

权利要求书

1.一种图像传感器，其包括：

多个光电二极管，其安置于半导体材料中；

浮动扩散区，其在所述半导体材料中安置成接近所述多个光电二极管中的光电二极管；

转移栅极，其经安置以将所述光电二极管中所产生的图像电荷转移到所述浮动扩散区中；

第一电接触件，其具有第一横截面面积，其中所述第一电接触件耦合到所述转移栅极；

第二电接触件，其具有第二横截面面积，其中所述第二电接触件耦合到所述浮动扩散区，且其中所述第二横截面面积大于所述第一横截面面积；

像素晶体管区域，其安置于所述半导体材料中，所述像素晶体管区域包含与所述半导体材料的第一电连接；及

第三电接触件，其具有第三横截面面积，其中所述第三电接触件耦合到与所述半导体材料的所述第一电连接，且其中所述第三横截面面积大于所述第一横截面面积。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第三横截面面积大于所述第二横截面面积。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第二横截面面积大于所述第三横截面面积。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括：层间电介质，其安置于所述半导体材料上，其中所述转移栅极安置于所述半导体材料与所述层间电介质之间，且其中所述第一电接触件延伸通过所述层间电介质到所述转移栅极，所述第二电接触件延伸通过所述层间电介质到所述浮动扩散区，且所述第三电接触件延伸通过所述层间电介质到与所述半导体材料的所述第一电连接。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括所述像素晶体管区域中的多个电接触件，其中所述多个电接触件耦合到像素晶体管区域，且其中所述多个电接触件具有基本上等于所述第一横截面面积的横截面面积。

6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述第一电接触件、所述第二电接触件、所述第三电接触件及所述多个电接触件包含钨。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括：硅化物层，其安置于所述第一电接触件与所述转移栅极之间，且其中所述硅化物层减小所述第一电接触件与所述转移栅极之间的接触电阻。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个光电二极管被布置成包含行及列的阵列。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其进一步包括：控制电路及读出电路，其中所述读出电路读出来自所述多个光电二极管的图像数据，且其中所述读出电路中的至少一些被包含于所述像素晶体管区域中，且其中所述控制电路运用所述多个光电二极管控制图像捕获。

10.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述第二横截面面积及所述第三横截面面积大于阈值横截面面积，且其中在所述阈值横截面面积下，所述阵列的中心中的像素具有基本上比所述阵列的边缘上的像素更高的噪声信号。

11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述像素晶体管区域中的所述第一电连接是与所述半导体材料的P+接触件。

12.一种成像系统，其包括：

多个光电二极管，其安置于半导体材料中；

浮动扩散区，其在所述半导体材料中安置成接近所述多个光电二极管；

多个转移栅极，其安置于所述多个光电二极管与所述浮动扩散区之间，其中所述多个转移栅极经定位以将图像电荷从所述多个光电二极管转移到所述浮动扩散区中；

多个第一电接触件，其耦合到所述多个转移栅极，

第二电接触件，其耦合到所述浮动扩散区，其中所述第二电接触件的第二横截面面积大于所述多个第一电接触件中的单个第一电接触件的第一横截面面积。