[发明专利]静态随机存取记忆体单元在审
申请号: | 201611138394.2 | 申请日: | 2016-12-12 |
公开(公告)号: | CN107154398A | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
发明(设计)人: | 徐国修;连崇德 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;H01L27/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静态 随机存取 记忆体 单元 | ||
1.一种静态随机存取记忆体单元,其特征在于,包括:
第一晶体管至第四晶体管,该第一晶体管至该第四晶体管为第一类型晶体管;
第五晶体管及第六晶体管,该第五晶体管及该第六晶体管为第二类型晶体管,其中该第一晶体管的源极区及该第二晶体管的源极区是由第一源极扩散区形成,该第五晶体管的源极区及该第六晶体管的源极区是分别由第二源极扩散区及第三源极扩散区形成,以及该第三晶体管的源极区及该第四晶体管的源极区是由第四源极扩散区形成;
第一数据储存电极,自第一栅极线性延伸,该第一栅极线将该第三晶体管的栅极及该第六晶体管的栅极彼此连接,以及将该第一栅极线及该第一源极扩散区及该第二源极扩散区彼此电连接;以及
第二数据储存电极,自第二栅极线性延伸,该第二栅极线将该第二晶体管的栅极及该第五晶体管的栅极彼此连接,以及将该第二栅极线及该第三源极扩散区及该第四源极扩散区彼此电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的