[发明专利]基于有机染料的抗可见光近红外记忆像素

权利要求书

1.一种记忆像素，由上至下依次为薄膜电阻层、金属电极层、隔离层和有机场效应晶体管存储器；

所述薄膜电阻层由叠层薄膜和单薄膜层组成，且所述叠层薄膜和单薄膜层共平面，连接方式为串联；

所述单薄膜层为氮，氮-二(七氟丁基)-1,6-二氰基-3,4,9,10-苝酰亚胺薄膜；

所述叠层薄膜与所述单薄膜层共用一段金属电极作为电压输出端；

所述叠层薄膜由下至上依次为氮，氮-二(2,6-异丙基苯基)-1,6,7,12,-四苯氧基-3,4,9,10-苝酰亚胺薄膜和酞菁氧钒薄膜；

所述有机场效应晶体管存储器，由下至上依次由基底、源漏电极层、半导体有源层、隧穿层、浮栅层、介电层和金属电极层组成；

构成所述半导体有源层的材料为对红外无感光能力的聚合物；

所述隧穿层由下至上依次为聚甲基丙烯酸甲酯薄膜和氧化石墨烯薄膜；

构成所述浮栅层的材料为氧化锌纳米颗粒；

其中，所述金属电极层位于所述有机场效应晶体管存储器中的金属电极层之上；

所述隔离层填充所述薄膜电阻层和所述有机场效应晶体管存储器中的介电层之间未被所述金属电极层覆盖的区域。

2.根据权利要求1所述的记忆像素，其特征在于：构成所述金属电极层的材料为金；

所述金属电极层的厚度为20纳米-100纳米；

所述氮，氮-二(2,6-异丙基苯基)-1,6,7,12,-四苯氧基-3,4,9,10-苝酰亚胺薄膜的厚度为5纳米-10纳米；

所述酞菁氧钒薄膜的厚度为25纳米-45纳米。

3.根据权利要求2所述的记忆像素，其特征在于：所述酞菁氧钒薄膜的厚度为30纳米。

4.根据权利要求1所述的记忆像素，其特征在于：所述单薄膜层的厚度为30纳米-40纳米；

所述叠层薄膜和单薄膜层中，沟道长度均为10微米-40微米，沟道宽度均为1200微米-3600微米。

5.根据权利要求4所述的记忆像素，其特征在于：所述叠层薄膜和单薄膜层中，沟道长度均为30微米，沟道宽度均为1800微米。

6.根据权利要求1所述的记忆像素，其特征在于：所述对红外无感光能力的聚合物为聚异靛蓝-联二噻吩、聚异靛蓝-并二噻吩或聚异靛蓝-联二噻吩-异靛蓝-并二噻吩；

构成所述基底的材料选自平板玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚对萘二甲酸乙二醇酯中的至少一种；

构成所述源漏电极层的材料为金；

构成所述介电层的材料为聚偏二氟乙烯-三氟乙烯-氟氯乙烯；

构成所述金属电极层的材料为金或铝；

所述半导体有源层的厚度为10纳米-20纳米；

所述隧穿层中，聚甲基丙烯酸甲酯薄膜的厚度为10纳米-20纳米，氧化石墨烯薄膜的厚度为5纳米-20纳米；

所述浮栅层的厚度为10纳米-20纳米；

所述介电层的厚度为600纳米-750纳米；

所述金属电极层的厚度为20纳米-100纳米。

7.根据权利要求6所述的记忆像素，其特征在于：所述隧穿层中，氧化石墨烯薄膜的厚度为10纳米。

8.根据权利要求1-7中任一所述的记忆像素，其特征在于：构成所述隔离层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯；

所述隔离层的厚度为30纳米-50纳米。

9.权利要求1-8任一所述记忆像素在制备光探测器中的应用。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于：所述光探测器为近红外光探测器。

11.含有权利要求1-8任一所述记忆像素的光探测器。

12.根据权利要求11所述的光探测器，其特征在于：所述光探测器为近红外光探测器。