[发明专利]改善晶圆表面切割形貌的线切割系统

说明书

本发明提供一种改善晶圆表面切割形貌的线切割系统，包括：晶锭进给装置、切割线及切割线驱动装置；还包括：压力传感器，位于晶锭进给装置上，适于侦测待切割晶锭对切割线的压力；第一位移传感器，位于晶锭进给装置上，适于侦测待切割晶锭的运动及位置偏移；第一温度传感器，适于侦测待切割晶锭与切割线接触区域的温度；速度传感器，适于侦测切割线的运动速度。通过增设压力传感器、第一位移传感器、第一温度传感器及速度传感器，可以实时侦测待切割晶锭对切割线的压力、待切割晶锭的运动及位置偏移、待切割晶锭与切割线接触区域的温度及切割线的运动速度，可以根据侦测的上述数据调整设定线切割工艺程式，改善切割得到的晶圆表面的形貌。

技术领域

本发明属于半导体设备技术领域，特别是涉及一种改善晶圆表面切割形貌的线切割系统。

背景技术

在晶圆制造过程中，需要将晶锭进行切割以得到所需的晶圆。目前最常用的晶圆切割设备即为线切割机，现有的线切割机的结构如图1所示，由图1可知，所述线切割机包括：线锯11、夹轨12、切割线导轨14及切割线15；所述夹轨12一端固定于所述线锯11上，另一端经由键合树脂层13固定待切割晶锭16，所述夹轨12适于在所述线锯11的驱动下带动所述待切割晶锭16向所述切割线15运动；所述切割线15绕置于所述切割线导轨14上，适于在所述切割线导轨14的驱动下运动并对所述待切割晶锭16进行线切割。

但由于所述切割线15会存在表面缺陷，这些表面缺陷会导致切割的晶圆表面存在纳米拓扑结构形貌(nanotopology)，所谓纳米拓扑结构形貌是指在晶圆表面形成具有0.2mm～20mm左右的空间波长偏差。但现有的线切割机并不能通过自身改善从所述待切割晶锭16切割晶圆时造成的所述纳米拓扑结构形貌。为了减轻或改善所述纳米拓扑结构形貌偏差，一般需要额外的工艺步骤对切割的晶圆进行处理，但这无疑会造成时间与成本的浪费。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善晶圆表面切割形貌的线切割系统，用于解决现有技术中的线切割机无法通过自身改善切割得到的晶圆表面形态，而必须借助额外的工艺步骤而导致的时间与成本浪费的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善晶圆表面切割形貌的线切割系统，所述改善晶圆表面切割形貌的线切割系统包括：晶锭进给装置、切割线及切割线驱动装置；所述晶锭进给装置适于固定待切割晶锭，并驱动所述待切割晶锭向所述切割线运动，所述切割线驱动装置适于驱动所述切割线运动，并对所述待切割晶锭进行线切割；还包括：

压力传感器，位于所述晶锭进给装置上，适于侦测所述待切割晶锭对所述切割线的压力；

第一位移传感器，位于所述晶锭进给装置上，适于侦测所述待切割晶锭的运动及位置偏移；

第一温度传感器，适于侦测待切割晶锭与所述切割线接触区域的温度；

速度传感器，适于侦测所述切割线的运动速度。

作为本发明的改善晶圆表面切割形貌的线切割系统的一种优选方案，所述晶锭进给装置包括线锯及夹轨；所述夹轨一端固定所述待切割晶锭，另一端与所述线锯相连接；所述线锯适于驱动所述夹轨及所述切割晶锭运动。

作为本发明的改善晶圆表面切割形貌的线切割系统的一种优选方案，所述晶锭进给装置还包括键合树脂层，所述键合树脂层位于所述夹轨与所述待切割晶锭之间，适于将所述待切割晶锭固定于所述夹轨上。

作为本发明的改善晶圆表面切割形貌的线切割系统的一种优选方案，所述第一位移传感器为六轴加速度传感器。

作为本发明的改善晶圆表面切割形貌的线切割系统的一种优选方案，所述第一温度传感器为红外传感器。

作为本发明的改善晶圆表面切割形貌的线切割系统的一种优选方案，所述线切割系统还包括：