[发明专利]用于集成MEMS-CMOS装置的方法和结构有效
| 申请号： | 201611139921.1 | 申请日： | 2013-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN106698330B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 桑德希尔·S·希瑞达拉莫尔希;提-希斯·特伦斯·李;阿里·J·拉斯特加尔;姆谷拉尔·斯唐库;肖·查理斯·杨 | 申请（专利权）人： | 矽立科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B3/00;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 集成 mems cmos 装置 方法 结构 | ||
1.一种用于制造集成的MEMS-CMOS装置的方法，包括：
提供具有表面区的基板；
形成上覆盖所述表面区的CMOS IC层，所述CMOS IC层具有与ESD二极管耦合的至少一个CMOS电极；
形成上覆盖所述CMOS IC层的机械结构层；
形成至少一个MEMS装置，所述至少一个MEMS装置从所述机械结构层的第一部分上覆盖所述CMOS IC层，所述至少一个MEMS装置具有至少一个MEMS电极；
从所述机械结构层的第二部分形成保护结构，所述保护结构包括跳线和一个或多个接地柱，其中，所述保护结构通过所述跳线耦合至所述至少一个MEMS电极和所述至少一个CMOS电极，其中，所述保护结构被配置为通过所述一个或多个接地柱将所述CMOS电极连接至电接地；以及
对所述机械结构层进行蚀刻，以将所述一个或多个接地柱与所述跳线分开，其中，所述CMOS电极与所述电接地保持连接，直到所述机械结构层被完全蚀刻。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个MEMS电极和所述至少一个CMOS电极在形成所述至少一个MEMS装置之后经由所述跳线电耦合。
3.如权利要求1所述的方法，还包括形成上覆盖至少一个CMOS装置的电极接地环结构，所述电极接地环结构耦合至地和所述至少一个CMOS装置。
4.如权利要求3所述的方法，其中，所述电极接地环结构配置为将来自等离子体蚀刻处理的等离子体感生电荷引导至地。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成所述机械结构层、所述形成所述至少一个MEMS装置和所述形成所述保护结构包括等离子体蚀刻处理。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述保护结构配置为将来自等离子体蚀刻处理的等离子体感生电荷引导至地。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述一个或多个MEMS装置包括惯性传感器、磁场传感器、压力传感器、湿度传感器、温度传感器、化学传感器或生物传感器。
8.如权利要求7所述的方法，其中，所述惯性传感器包括加速计和陀螺仪中的至少之一。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽立科技有限公司，未经矽立科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611139921.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锻压机床
- 下一篇：一种包含梁膜结构的单晶硅红外热堆结构及其制作方法
